发明公开
CN113614883A 半导体装置
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN202080023863.4申请日： 2020-03-26
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公开(公告)号： CN113614883A公开(公告)日： 2021-11-05
- 发明人: 浦上泰 , 斋藤顺 , 山下侑佑
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 吕文卓
- 优先权： 2019-063289 20190328 JP
- 国际申请： PCT/JP2020/013670 2020.03.26
- 国际公布： WO2020/196754 JA 2020.10.01
- 进入国家日期： 2021-09-24
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/06 ; H01L29/417 ; H01L29/78 ; H01L29/12 ; H01L21/336
摘要：
设单元部(1)中的在漂移层(12)与基体区域(13)的层叠方向上与保护膜(60)重叠的区域为第1单元部(1a)，设与第1单元部(1a)不同的区域为第2单元部(1b)，在第1单元部(1a)及第2单元部(1b)形成有栅极构造。并且，第1电极(20)中，设位于第1单元部(1a)的部位为第1部位(20a)，设位于第2单元部(1b)的部位为第2部位(20b)，设从半导体基板(10)的一面(100a)到第1电极(20)中的与一面(100a)相反侧的表面之间的长度为膜厚，第1部位(20a)具有膜厚比第2部位(20b)厚的部分。
公开/授权文献
- CN113614883B 半导体装置 公开/授权日：2023-08-04
IPC分类:
