公开(公告)号：CN109891594A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780067333.8

申请日：2017-10-30

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 大西彻 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/423

摘要： 在沟槽(6)的端部中，露出所述沟槽的所述端部(10)的开口(22)被形成在引出电极(20)中，半导体基板的顶表面侧上的所述沟槽栅电极(14)的侧表面与沟槽侧表面(12)间隔开，并且与位于所述半导体基板的顶表面(4)和所述沟槽侧表面之间的边界线相邻的范围覆盖有层叠绝缘膜，所述层叠绝缘膜被构造成使得层间绝缘膜在栅极绝缘膜上层叠。这使得能够防止绝缘膜的介电击穿。

公开(公告)号：CN107919383A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710887817.9

申请日：2017-09-27

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种开关元件，抑制在连接区域产生的电场。开关元件具备：半导体基板；沟槽，设于半导体基板的上表面；栅极绝缘层，覆盖沟槽的内表面；以及栅电极，配置于沟槽内，并且通过栅极绝缘层而与半导体基板绝缘。半导体基板具备：第一导电型的第一半导体区域，与栅极绝缘层接触；第二导电型的体区域，在第一半导体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第一导电型的第二半导体区域，在体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第二导电型的底部区域，在沟槽的底面与栅极绝缘层接触；以及第二导电型的连接区域，在沟槽的侧面与栅极绝缘层接触，并且将体区域与底部区域连接。连接区域的厚度比底部区域的厚度厚。

公开(公告)号：CN103635615A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280023709.2

申请日：2012-05-16

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 郡司岛造 ,  浦上泰 ,  安达步

IPC分类号： C30B29/36 ,  H01L29/161

CPC分类号： H01L29/30 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861

摘要： 本发明为具有基底面位错的直线性高并且基底面位错向结晶学上等价的三个 方向取向的一个或两个以上的取向区域的碳化硅单晶以及由这样的碳化硅单晶制造的碳化硅晶片和半导体器件。这样的碳化硅单晶能够通过使用{0001}面最顶部侧的偏斜角小并且偏斜方向下游侧的偏斜角大的籽晶而使新的晶体在该籽晶上生长来制造。

公开(公告)号：CN103582723A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

申请人： 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

发明人： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC分类号： C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC分类号： C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

摘要： 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11-20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11-20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11-20}面生长与{1-100}面生长的交替生长法。

公开(公告)号：CN110622320A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880019440.8

申请日：2018-01-26

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 永冈达司 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。

公开(公告)号：CN109075197A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680082528.5

申请日：2016-12-26

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。所述元件的半导体衬底包括：第二导电类型底部区，其与所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型第二半导体区，其从与所述体区的下表面接触的位置延伸到与所述底部区的下表面接触的位置。所述底部区包括：第一底部区，其与位于所述沟槽的纵向上的端部处的所述底表面的第一范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到第一位置；以及第二底部区，其与在邻近所述第一范围的第二范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述第一位置更低的第二位置。

公开(公告)号：CN107833921A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710665659.2

申请日：2017-08-07

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 黑川雄斗 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66666

摘要： 本发明涉及开关器件和制造开关器件的方法。开关器件包括半导体衬底；第一沟槽和第二沟槽；栅极绝缘层；和栅极电极。半导体衬底包括在延伸到第一沟槽和第二沟槽的底表面的区域中布置的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的第二半导体区、第二导电类型的第一底部半导体区和第二底部半导体区，以及从第一沟槽在从本体区的下端的深度到第一沟槽和第二沟槽的底表面的深度的深度范围内延伸以到达第二沟槽的第二导电类型的连接半导体区，所述连接半导体区接触所述第二半导体区，并且被连接到所述本体区以及所述第一底部半导体区和所述第二底部半导体区。

公开(公告)号：CN103582723B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

申请人： 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

发明人： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC分类号： C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC分类号： C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

摘要： 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。

公开(公告)号：CN111180516B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201911081130.1

申请日：2019-11-07

申请人： 株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

摘要： 半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。

公开(公告)号：CN114556588A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980101194.5

申请日：2019-10-11

申请人： 株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  片冈惠太 ,  山下侑佑 ,  渡边行彦 ,  朽木克博 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12

摘要： 一种开关元件，具有沟槽型的多个栅极电极。半导体基板具有：n型的漂移区域，在各所述沟槽的底面以及侧面与栅极绝缘膜相接；p型的体区域，在所述漂移区域的上侧与所述栅极绝缘膜相接；p型的多个底部区域，配置于所述沟槽的正下方并且是从所述栅极绝缘膜离开的位置；以及p型的连接区域，将各所述底部区域与所述体区域连接。使相邻的所述底部区域之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离的一半比使体区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离以及使底部区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离长。