发明公开
- 专利标题： 存储器器件及其制造方法
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申请号： CN202110501998.3申请日： 2021-05-08
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公开(公告)号： CN113675214A公开(公告)日： 2021-11-19
- 发明人: 林孟汉 , 贾汉中 , 王圣祯 , 杨丰诚 , 林佑明 , 林仲德
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 63/058,628 20200730 US 17/112,606 20201204 US
- 主分类号： H01L27/11587
- IPC分类号： H01L27/11587 ; H01L27/1159 ; H01L27/11597
摘要：
本发明的实施例公开了存储器器件及其制造方法。在实施例中，存储器器件包括：源线，在第一方向上延伸；位线，在第一方向上延伸；背栅，在源线与位线之间，背栅在第一方向上延伸；沟道层，围绕背栅；字线，在第二方向上延伸，第二方向垂直于第一方向；以及数据存储层，沿字线延伸，数据存储层在字线与沟道层之间，数据存储层在字线与位线之间，数据存储层在字线与源线之间。
公开/授权文献
- CN113675214B 存储器器件及其制造方法 公开/授权日：2024-04-30
IPC分类:
