本发明涉及半导体技术领域，提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、栅极区、源极区、漏极区、P型体区以及位于所述衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，还包括：离子注入形成的P型漂移区；所述P型漂移区位于所述N型阱区内，所述P型漂移区与所述P型体区之间存在预设距离。本发明在N型阱区内增加P型漂移区，P型漂移区与N型阱区的接触面构成PN结，P型漂移区与N型漂移区形成双重RESURF结构，降低器件的表面电场，并且能够承担更高的击穿电压，维持较低的导通电阻。