公开了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；位于衬底上的外延层，所述外延层包括在衬底上依次堆叠的第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层，所述第一半导体层具有第一掺杂类型，所述第二半导体具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型的极性相反；位于所述外延层中的碳掺杂的氮化物层，所述碳掺杂的氮化物层包括碳掺杂的第二氮化物层，所述碳掺杂的第二氮化物层位于所述发光层和所述电子阻挡层之间。本发明提供的发光二极管的外延结构及其制造方法，可以提高发光二极管的发光效率。