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公开(公告)号：CN113594312B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202110651719.1
申请日：2021-06-11
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN113410345B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110661380.3
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种紫外半导体发光元件，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、老化漏电控制层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述老化漏电控制层为第一结构层与第二结构层组成的超晶格结构。本发明通过在n型半导体层和量子阱层之间增加具有超晶格结构的老化漏电控制层，能够改善紫外半导体发光元件的老化漏电性能。
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公开(公告)号：CN113394314B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110662667.8
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层、第一光衰控制层和/或第二光衰控制层。本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能，使得1000小时老化光衰由30％以上(甚至50％以上)下降至10％以内。
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公开(公告)号：CN113097359B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110344768.0
申请日：2021-03-29
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件，依次包括：衬底、n型氮化物半导体层、量子阱层以及p型氮化物半导体层，所述半导体发光元件还包括调控层，其位于所述n型氮化物半导体层与所述量子阱层之间，或者位于所述量子阱层与p型氮化物半导体层之间。即通过在所述半导体发光元件中增加一层调控层，能够调控V‑pits的开启和密度，增加空穴注入和载流子辐射复合效率，以及增加电流扩展能力，进而提升所述半导体发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN113594312A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110651719.1
申请日：2021-06-11
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN113394314A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110662667.8
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层、第一光衰控制层和/或第二光衰控制层。本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能，使得1000小时老化光衰由30％以上(甚至50％以上)下降至10％以内。
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公开(公告)号：CN113363360A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110557236.5
申请日：2021-05-21
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 公开了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，该垂直结构LED芯片包括键合衬底；第一电极层，贴合于键合衬底第一侧的表面上；金属键合层，贴合于键合衬底第二侧的表面上；反射镜层，位于金属键合层背离键合衬底的一侧的表面上；P型欧姆接触层，堆叠于反射镜层背离键合衬底的一侧的表面上；外延层，包括依次堆叠在P型欧姆接触层背离反射镜层一侧的表面上的第二半导体层、载流子阻挡层、多量子阱层和第一半导体层；第二电极层，位于反射镜层背离键合衬底的一侧，与第一电极层相对设置，外延层背离反射镜层的表面上形成有光提取结构，光提取结构呈具有倾斜侧壁的阵列排布的凹凸状结构，且光提取结构包括在第一凹凸图形的基础上形成的第二凹凸图形。
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公开(公告)号：CN111933765A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010636615.9
申请日：2020-07-03
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种微型发光二极管及制作方法，微型LED显示模块及制作方法，微型发光二极管包括：外延层，依次包括第一半导体层，多量子阱层以及第二半导体层；第二电极，位于所述外延层中所述第二半导体层的表面；反射镜层，位于所述第二电极的表面；保护层，位于所述反射镜层的表面；以及第一电极结构，包括介质层、第一电极以及金属连接层，其中，所述第一电极结构中的所述第一电极与所述第一半导体层连接。本申请的微型发光二极管中，第一电极结构的第一电极和金属连接层共同作为导电层和反射层，提高了微型发光二极管出光率。制作方法采用两次光刻，提高了良率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN111933762A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010717160.3
申请日：2020-07-23
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种外延结构及其制造方法，衬底；电子供应层，位于衬底上；多量子阱层，位于电子供应层上；多个V型凹陷，自多量子阱层的表面延伸至多量子阱层中；以及空穴供应层，填充多个V型凹陷，并在多量子阱层上方提供平整表面，其中，至少一个V型凹陷的开口尺寸大于等于空穴供应层的厚度的四分之三。该外延结构通过超薄的空穴供应层填充大开口尺寸的V型凹陷，并在多量子阱层上方提供平整表面，从而在保证高空穴注入效率的前提下降低空穴供应层对光的吸收，从而提高了发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN113964246B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111141108.9
申请日：2021-09-28
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；位于衬底上的外延层，所述外延层包括在衬底上依次堆叠的第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层，所述第一半导体层具有第一掺杂类型，所述第二半导体具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型的极性相反；位于所述外延层中的碳掺杂的氮化物层，所述碳掺杂的氮化物层包括碳掺杂的第二氮化物层，所述碳掺杂的第二氮化物层位于所述发光层和所述电子阻挡层之间。本发明提供的发光二极管的外延结构及其制造方法，可以提高发光二极管的发光效率。
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