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公开(公告)号：CN115692565A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211091653.6
申请日：2022-09-07
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括自下向上的衬底、n型半导体层、量子阱层、空穴注入层和p型半导体层，所述空穴注入层包含p型掺杂元素和n型非故意掺杂元素，所述p型掺杂元素的浓度与所述n型非故意掺杂元素的浓度之比a≥80。本发明的技术方案使得量子阱层中的电子和空穴浓度差异明显减小，进而使得发光二极管的光电转换效率得到明显提高。
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公开(公告)号：CN113410345B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110661380.3
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种紫外半导体发光元件，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、老化漏电控制层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述老化漏电控制层为第一结构层与第二结构层组成的超晶格结构。本发明通过在n型半导体层和量子阱层之间增加具有超晶格结构的老化漏电控制层，能够改善紫外半导体发光元件的老化漏电性能。
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公开(公告)号：CN113394314B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110662667.8
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层、第一光衰控制层和/或第二光衰控制层。本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能，使得1000小时老化光衰由30％以上(甚至50％以上)下降至10％以内。
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公开(公告)号：CN114937722A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210471748.4
申请日：2022-04-29
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管及其制造方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；阻挡层，位于所述第一半导体层和所述多量子阱层之间；引导层，位于所述第一半导体层和阻挡层之间；以及纳米孔阵列，所述纳米孔阵列垂直于所述第一半导体层的表面，且至少位于所述引导层和第一半导体层中。本发明提供的发光二极管及其制造方法，在所述第一半导体层和所述多量子阱层之间设置阻挡层和引导层，形成贯穿引导层和第一半导体层且垂直于所述第一半导体层表面的纳米孔阵列，以对发光二极管的出光进行调整。
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公开(公告)号：CN113394314A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110662667.8
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层、第一光衰控制层和/或第二光衰控制层。本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能，使得1000小时老化光衰由30％以上(甚至50％以上)下降至10％以内。
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公开(公告)号：CN113964246B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111141108.9
申请日：2021-09-28
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；位于衬底上的外延层，所述外延层包括在衬底上依次堆叠的第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层，所述第一半导体层具有第一掺杂类型，所述第二半导体具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型的极性相反；位于所述外延层中的碳掺杂的氮化物层，所述碳掺杂的氮化物层包括碳掺杂的第二氮化物层，所述碳掺杂的第二氮化物层位于所述发光层和所述电子阻挡层之间。本发明提供的发光二极管的外延结构及其制造方法，可以提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN115394892A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211168255.X
申请日：2022-09-23
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件及其制备方法，其中所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中部分所述n型半导体层与部分所述量子阱层形成n型空间电荷区，部分所述p型半导体层形成p型空间电荷区，所述n型空间电荷区的宽度大于p型空间电荷区的宽度。本发明通过所述n型空间电荷区的宽度大于p型空间电荷区的宽度的设置能够改善半导体发光元件的老化光衰性能。
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公开(公告)号：CN115148870A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210626478.X
申请日：2022-06-02
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种垂直发光二极管及其制备方法，利用ODR反射层的金属反射层和绝缘反射层与外延层构成MIS电容结构，令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从外延层的第一半导体层向发光层聚集，空穴从外延层的第二半导体层向发光层中聚集，提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本低；本发明仅对现有的垂直发光二极管稍加改进，不会显著增加结构和制备工艺的复杂程度。
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公开(公告)号：CN114975713A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210489311.3
申请日：2022-05-06
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管的制造方法及发光二极管，所述制造方法包括：在第一衬底上形成外延层，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；在电化学溶液中对所述第二半导体层进行电化学激活；形成第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接；以及形成第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。本发明提供的发光二极管的制造方法，在形成所述外延层之后，对所述第二半导体层进行电化学激活，以提高第二半导体层的空穴浓度、减少氢浓度，进一步改善发光二极管的电光效率。
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公开(公告)号：CN115347091A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210470567.X
申请日：2022-04-28
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及第二半导体层；多个接触孔，阵列分布于所述外延层中，所述接触孔贯穿所述第二半导体层和所述电子阻挡层，暴露出所述第一半导体层的表面；扩散层，位于相应的接触孔中的第一半导体层上；第一电极，经由所述多个接触孔与所述第一半导体层电连接；以及第二电极，与所述第二半导体层电连接。本发明的发光二极管及其制造方法，在接触孔暴露出来的第一半导体层表面形成由掺杂元素构成的扩散层，所述扩散层中的掺杂元素向所述第一半导体层内扩散以增加所述第一半导体层的掺杂浓度。
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