发明公开
- 专利标题: 一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法
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申请号: CN202210040132.1申请日: 2022-01-13
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公开(公告)号: CN114388080A公开(公告)日: 2022-04-22
- 发明人: 程晨言 , 黄永 , 王宇轩 , 李梹激 , 杨旭豪 , 王霄 , 许琦辉 , 常娟雄 , 刘晓磊 , 陈财 , 邵语嫣
- 申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址: 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 代理机构: 芜湖思诚知识产权代理有限公司
- 代理商 项磊
- 主分类号: G16C60/00
- IPC分类号: G16C60/00 ; G16C10/00 ; G16C20/30 ; G16C20/50
摘要:
本发明公开了一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法,包括下列步骤:步骤一、衬底模型构建,建立衬底材料的超胞模型并优化;步骤二、成膜材料的原子附着位点选择,选取单个成膜材料的原子放在衬底模型表面上,对此模型进行结构优化,得到初始吸附模型及第一次稳定吸附位点;再选择衬底上相邻的重复结构重复上述操作,得到最终吸附模型及第二次稳定吸附位点;步骤三、迁移势垒计算,建立NEB模型,计算这两组吸附模型中的稳定吸附位点间的迁移势垒;步骤四、应用分析,基于上一步得到的迁移势垒和分析得到的影响关系确定一个参数范围进行成膜工艺的调试。本方法以较快的速度确定各种材料成膜所需的温度等参数范围,提高调试和研发效率。