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公开(公告)号：CN117613120A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311514753.X
申请日：2023-11-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0328 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖GaN沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域，并在阴极位置区域和阳极位置区域之间的区域形成叉指状结构；阴电极和阳电极，分别设置于阴极位置区域和阳极位置区域的AlGaN势垒层上；一维光子晶体层，设置于叉指状结构的AlGaN势垒层上。本发明中的日盲光电探测器，光生电流较高、响应度较高、暗电流较低，且成本较低。
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公开(公告)号：CN115763560A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211436315.1
申请日：2022-11-16
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上电子气结构层，电子气结构层包括沟道层和势垒层；电子气结构层具有晶体管区域、二极管区域和连通区域；晶体管区域和二极管区域之间形成有绝缘层，绝缘层刻断晶体管区域和二极管区域之间的二维电子气；欧姆电极，设置于连通区域的势垒层上；栅电极和源电极，均设置于晶体管区域的势垒层上，且源电极位于晶体管区域的远离连通区域的端部；阳电极，设置于二极管区域的势垒层上，且位于二极管区域的远离连通区域的端部；连接电极，设置于源电极和阳电极上，并与源电极以及阳电极电连接。本发明中的器件，实现了晶体管和二极管的集成，且可靠性较高，成本较低。
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公开(公告)号：CN114038750A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111304770.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/335 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L23/373 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。
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公开(公告)号：CN114497293A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111643318.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L33/00 , H01L21/335 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。
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公开(公告)号：CN117476557A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311460344.6
申请日：2023-11-01
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/8238 , H01L21/8252 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种CFET的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：刻蚀GaN外延片，形成阻断GaN外延层中载流子流动的隔离槽；刻蚀去除NFET生长区域中的第一源极区域和第一漏极区域的P‑GaN层，并对应生长第一源极和第一漏极；对NFET生长区域中的第一栅源之间区域和第一栅漏之间区域以及PFET生长区域中的第二栅极区域的P‑GaN层进行氢等离子体注入，以在这些区域形成i‑GaN层；在第二栅极区域的i‑GaN层上生长栅极介质层；分别在NFET生长区域中的第一栅极区域、PFET生长区域中的第二源极区域、第二漏极区域和第二栅极区域生长第一栅极、第二源极、第二漏极和第二栅极。本发明中的方法，能够提高制备得到的CFET器件的性能，且工艺流程简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116084018A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310106414.1
申请日：2023-02-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长牺牲层；牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，外延孔贯穿牺牲层，且外延孔远离衬底的一端的直径小于靠近衬底的一端的直径；在外延孔内以及牺牲层上外延生长氮化镓层。本发明中的方法，能够过滤来自衬底的穿透位错，减小了生长于牺牲层上方的氮化镓层的开裂的可能性，实现高质量氮化镓层的外延生长。
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公开(公告)号：CN116031258A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211066704.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L27/085 , H01L21/8234 , H01L21/8236
Abstract: 本发明公开了一种集成反相器及其制备方法，器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；衬底在第一区域的厚度大于在第二区域的厚度；缓冲结构层，设置于第二区域的衬底上；第一导电结构层和第二导电结构层，依次设置于缓冲结构层上，且第一导电结构层和第二导电结构层具有间隔的第一子区域和第二子区域，第一子区域的第一导电结构层和第二导电结构层形成异质结；第三导电结构层，设置于第二子区域的第二导电结构层上；第一源极和第二栅极之间以及第一漏极和第二源极之间电连接，第一栅极和第三栅极电连接为集成反相器的输入端，第二漏极和第三源极电连接为集成反相器的输出端；第三漏极为集成反相器的驱动电源连接端。本发明中的器件，集成度高。
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公开(公告)号：CN115565875A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211216647.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法，氮化镓基材料的表面处理方法，包括如下步骤：在氮化镓基材料的结构层表面生长氧化物保护膜，得到第一中间结构层；对第一中间结构层的表面进行氢离子气体处理，得到第二中间结构层；刻蚀去除第二中间结构层中的氧化物保护膜。本发明中的方法，能够有效降低氮化镓基材料的结构层的表面态，提高其电学性能。
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公开(公告)号：CN114236340B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111563751.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I‑V特性的二极管漏电分析方法，包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I‑V特性测试，测得的不同温度下的反向I‑V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I‑V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。本发明能依据计算公式对多组I‑V特性曲线进行分段拟合分析，最后准确得出该二极管样品的漏电流运输机制，有助于技术人员改善工艺、优化产品应用，对提升产品的质量和可靠性有着较大的意义。
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公开(公告)号：CN116779713A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310751771.3
申请日：2023-06-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/111 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。本发明中的光电探测器，暗电流较小，探测性能较高。
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