发明公开
- 专利标题： 在半导体晶片上制备钨的方法
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申请号： CN202111491362.1申请日： 2021-12-08
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公开(公告)号： CN114420533A公开(公告)日： 2022-04-29
- 发明人: 李振亚 , 王鹏 , 王敏 , 高尚
- 申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人： 武汉新芯集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 田婷
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/768 ; C23C16/06 ; C23C16/56
摘要：
本发明涉及一种在半导体晶片上制备钨的方法。该方法中，利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面即背面贴附在基座上，并且在体生长阶段插入至少一次热退火操作，通过所述热退火操作可以缓解沉积在半导体晶片上的钨积聚的应力，降低半导体晶片的翘曲风险，减少化学气相沉积的工艺气体对半导体晶片背面的破坏，达到保护晶片背面的目的。
公开/授权文献
- CN114420533B 在半导体晶片上制备钨的方法 公开/授权日：2024-10-18
IPC分类:
