公开(公告)号：CN112635305A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011329295.9

申请日：2020-11-24

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 熊子遥 ,  王敏 ,  王鹏 ,  李振亚

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过在形成金属材料层之后，对金属材料层执行离子轰击工艺，以使至少部分位于金属材料层的顶表面上，且凸起的金属晶粒被轰击掉落后，填充至金属材料层的顶表面的凹陷处。如此以使金属材料层顶表面平坦化，进而降低金属材料层顶表面的粗糙度，以增强后续形成的半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN111863720A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010754191.6

申请日：2020-07-30

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 陈红闯 ,  王鹏 ,  王敏

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明所提供的半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底中形成有沟槽；形成阻挡层，阻挡层覆盖了沟槽的内壁；在阻挡层上形成第一预定厚度的第一种子层，第一种子层在所述沟槽的开口处的厚度厚于第一种子层在沟槽的剩余部分的厚度；以及减薄沟槽的开口处的第一种子层；以及通过电镀工艺在所述沟槽中生成金属填充层。本发明通过等离子溅射工艺的等离子体轰击沟槽的开口处富积的第一种子层，以消除形成第一种子层时的铜富积现象，同时，等离子体离子撞击沟槽的底壁，使得第一种子层在沟槽侧壁上的厚度可以满足后续制程的要求，从而使得后续没有金属填充层填充时出现的空洞缺陷，提高了半导体结构的电性性能。

公开(公告)号：CN114420533A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111491362.1

申请日：2021-12-08

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李振亚 ,  王鹏 ,  王敏 ,  高尚

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及一种在半导体晶片上制备钨的方法。该方法中，利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面即背面贴附在基座上，并且在体生长阶段插入至少一次热退火操作，通过所述热退火操作可以缓解沉积在半导体晶片上的钨积聚的应力，降低半导体晶片的翘曲风险，减少化学气相沉积的工艺气体对半导体晶片背面的破坏，达到保护晶片背面的目的。