公开(公告)号：CN114420533A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111491362.1

申请日：2021-12-08

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李振亚 ,  王鹏 ,  王敏 ,  高尚

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及一种在半导体晶片上制备钨的方法。该方法中，利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面即背面贴附在基座上，并且在体生长阶段插入至少一次热退火操作，通过所述热退火操作可以缓解沉积在半导体晶片上的钨积聚的应力，降低半导体晶片的翘曲风险，减少化学气相沉积的工艺气体对半导体晶片背面的破坏，达到保护晶片背面的目的。

公开(公告)号：CN112349742A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011333842.0

申请日：2020-11-24

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李振亚 ,  王鹏 ,  高尚 ,  熊子遥

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供一种背照式图像传感器及其制造方法，其中，在形成金属材料层之后，对金属材料层执行离子轰击工艺去除至少部分所述金属材料层顶表面凸起的金属晶粒，以使金属材料层顶表面光滑化，进而降低金属材料层表面的粗糙度。如此一来，使得后续刻蚀形成的金属栅格层顶表面光滑，粗糙度降低，进而提升背照式图像传感器光吸收的均匀性。