- 专利标题: 防光串扰Micro-LED芯片结构、制备方法以及Micro-LED显示装置
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申请号: CN202210108764.7申请日: 2022-01-28
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公开(公告)号: CN114512504B公开(公告)日: 2024-09-27
- 发明人: 郝茂盛 , 袁根如 , 陈朋 , 马后永 , 张楠 , 马艳红 , 闫鹏
- 申请人: 上海芯元基半导体科技有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室
- 专利权人: 上海芯元基半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 上海芯元基半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室
- 代理机构: 上海慧晗知识产权代理事务所
- 代理商 李茂林
- 主分类号: H01L27/15
- IPC分类号: H01L27/15 ; H01L33/22 ; H01L33/24 ; H01L33/38 ; H01L33/58
摘要:
本发明提供了一种防光串扰Micro‑LED芯片结构、制备方法及显示装置,该芯片结构包括:透明基板;多个LED像素单元,每个LED像素单元的N型外延层具有mesa台阶;相邻两个LED像素单元之间通过第一沟槽间隔开;N电极单元;吸光层,设置在第一沟槽所在的透明基板上、以及N电极单元与其相邻的LED像素单元之间的透明基板上;吸光层的材料为黑色导电材料;金属导电层,覆盖在每个LED像素单元的N型外延层的mesa台阶的两侧与侧壁上以及吸光层上,以使得所有的LED像素单元的N型外延层电性连接;且所有的LED像素单元的N型外延层电性连接至N电极单元;绝缘层;P电极,贯穿绝缘层后设置于LED像素单元的P型外延层上;N电极,贯穿绝缘层后设置于N电极单元上。
公开/授权文献
- CN114512504A 防光串扰Micro-LED芯片结构、制备方法以及Micro-LED显示装置 公开/授权日:2022-05-17
IPC分类: