本发明提供一种高压半导体装置，其包括基底、第一井区、第二井区、第一绝缘层、源极、漏极、第一电极结构以及第二电极结构。第一井区以及第二井区设置在基底内，并分别具有互补的第一导电类型以及第二导电类型。第一绝缘层，设置在第一井区上。源极以及漏极分别设置在第二井区以及第一井区内。第一电极结构以及第二电极结构则设置在基底上，第一电极结构的电极顶面到基底顶面之间的距离具有互不等同的一第一高度以及一第二高度，第一电极结构以及第二电极结构的其中之一为一闸极结构。