发明授权
CN1146957C 半导体基材的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体基材的制造方法
- 专利标题（英）： Method for producing semiconductor substrate
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申请号： CN00122589.8申请日： 2000-06-16
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公开(公告)号： CN1146957C公开(公告)日： 2004-04-21
- 发明人: 岩崎由希子 , 米原隆夫 , 西田彰志 , 坂口清文 , 浮世典孝
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权： 171135/1999 1999.06.17 JP
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L31/04 ; H01L31/18
摘要：
在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑，并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层，而形成薄膜半导体时，通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片，并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法，并且允许重复使用基片，且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。
公开/授权文献
- CN1278656A 半导体基材的制造方法和太阳能电池的制造方法 公开/授权日：2001-01-03