公开(公告)号：CN102856349A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210224859.1

申请日：2012-06-29

申请人： 佳能株式会社

发明人： 一之濑雄志 ,  盐崎笃志 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H04N5/225

CPC分类号： H01L51/5275 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5284

摘要： 本发明涉及显示装置和配备该显示装置的图像信息处理设备。在透镜阵列与第一电极之间设置具有与透镜对应的多个开口的光吸收层。该开口中的每一个的边缘被设置成使得沿基板的法线方向入射并穿过相应的透镜具有最大倾斜角的区域的光被阻挡。

公开(公告)号：CN1175498C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN99103155.5

申请日：1999-02-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 近江和明 ,  坂口清文 ,  柳田一隆

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L2/176 ,  H01L2/100

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259

摘要： 为了分离第一和第二基底衬底而不会对其造成损坏，和使残损的基底衬底再次用作半导体衬底来提高生产率，公开了半导体衬底的制造方法，包括在形成于与键合面不同位置的分离区，将通过绝缘层相互键合第一基底衬底和第二基底衬底所形成的复合部件分离成多个部件，以将一个基底衬底的一部分转移于另一基底上。分离区的机械强度沿复合部件的键合面是非均匀的。

公开(公告)号：CN1156919C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00124098.6

申请日：2000-07-14

申请人： 佳能株式会社

发明人： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  高井康好 ,  坂口清文 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/1002 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/1041 ,  Y10T156/1048 ,  Y10T156/1049

摘要： 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。

公开(公告)号：CN1123915C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN97126485.6

申请日：1997-11-14

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体制品的制造方法，包括以下步骤：用扩散能控制导电类型的元素在Si衬底的至少一侧表面上形成扩散区；在包括扩散区的区域内形成多孔层；在多孔Si层上形成无孔半导体层来制备第1衬底；键合第1和第2衬底制成其中设置有无孔半导体层的多层结构；沿多孔Si层但不沿扩散区劈开多层结构；和除去劈开的第2衬底上残留的多孔Si层。

公开(公告)号：CN1444252A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03107555.X

申请日：1998-03-27

申请人： 佳能株式会社

发明人： 近江和明 ,  米原隆夫 ,  坂口清文 ,  柳田一隆

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/6838 ,  Y10T29/49821 ,  Y10T83/364 ,  Y10T156/1137 ,  Y10T156/1374 ,  Y10T156/1922 ,  Y10T156/1933 ,  Y10T156/1939

摘要： 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。

公开(公告)号：CN1241803A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99109898.6

申请日：1999-05-14

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 半导体衬底制造工艺,包括:准备第1衬底的步骤,该衬底有经过氢退火的表面层部分;分离层的形成步骤,从表面层部分一侧把氢之类的离子注入第1衬底。从而形成分离层;相互键合第1硅衬底与第2硅衬底的键合步骤,使表面层部分位于内部,从而形成多层结构;以及利用分离层分离多层结构的转移步骤,从而把表面层部分的低缺陷层转移到第2衬底上。该低缺陷层是体晶片中减少了COP和FPD等固有缺陷的单晶体硅层。

公开(公告)号：CN1228607A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：CN99103155.5

申请日：1999-02-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 近江和明 ,  坂口清文 ,  柳田一隆

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259

摘要： 为了分离第一和第二基底衬底而不会对其造成损坏,和使残损的基底衬底再次用作半导体衬底来提高生产率,公开了半导体衬底的制造方法,包括在形成于与键合面不同位置的分离区,将通过绝缘层相互键合第一基底衬底和第二基底衬底所形成的复合部件分离成多个部件,以将一个基底衬底的一部分转移于另一基底上。分离区的机械强度沿复合部件的键合面是非均匀的。

公开(公告)号：CN1225500A

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN98127198.7

申请日：1998-12-25

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76259

摘要： 一种半导体产品的制造方法,包括以下步骤:至少在半导体衬底的一个表面上形成含有能够控制导电类型的元素的掺杂层,将掺杂层的表面更改成多孔状态以得到比掺杂层薄的多孔层,在多孔层上形成无孔层以制备第一产品,键合所述第一产品和第二产品以便生产出在其内部具有所述多孔层的多层结构,以及沿所述多孔层分离所述多层结构。

公开(公告)号：CN1192579A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN98103730.5

申请日：1998-02-04

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67057

摘要： 晶片一边受到支承一边由四根具有槽口的晶片转动杆转动。晶片转动杆由一安装在晶片处理槽外边的电动机传递出的驱动力转动。超声槽设置在晶片处理槽的下方,并且由超声源产生的超声波传递到晶片处理槽。超声波可高效地传递到晶片,因为晶片仅由晶片转动杆支承。

公开(公告)号：CN1191385A

公开(公告)日：1998-08-26

申请号：CN98105320.3

申请日：1998-02-20

申请人： 佳能株式会社

发明人： 上原二三男 ,  坂口清文 ,  柳田一隆 ,  原田贤一

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C23F1/24

CPC分类号： H01L21/67057 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30608 ,  Y10S134/902

摘要： 超声槽(30)置于晶片处理槽(10)的下面。将超声波从超声槽(30)传送到晶片处理槽(10)的同时处理晶片(40)。在将晶片(40)完全浸入晶片处理槽(10)并用晶片旋转连杆(53)旋转晶片的同时处理晶片(40)。