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公开(公告)号：CN1283874A
公开(公告)日：2001-02-14
申请号：CN00124098.6
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/304 , Y10T156/1002 , Y10T156/1028 , Y10T156/1041 , Y10T156/1048 , Y10T156/1049
Abstract: 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件,亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如(111)的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向,均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件,是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。
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公开(公告)号：CN1156919C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN00124098.6
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/304 , Y10T156/1002 , Y10T156/1028 , Y10T156/1041 , Y10T156/1048 , Y10T156/1049
Abstract: 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。
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公开(公告)号：CN1639063A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804814.0
申请日：2003-02-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。
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公开(公告)号：CN1175472C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN99108640.6
申请日：1999-06-18
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , C23C16/01 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L31/1892 , Y02E10/50 , Y10S156/93 , Y10S156/942 , Y10T156/1179 , Y10T156/1978
Abstract: 提供一种生产半导体薄膜的方法，其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时，还旋转支撑件，从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法，该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤，其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。
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公开(公告)号：CN1516291A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310114345.1
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/304 , Y10T156/1002 , Y10T156/1028 , Y10T156/1041 , Y10T156/1048 , Y10T156/1049
Abstract: 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1280383A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN00121745.3
申请日：2000-06-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C25D11/32 , C25D17/10 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 采用薄膜晶体半导体层生产半导体部件和太阳能电池的方法,包括步骤:(1)阳极化第一基片的表面,在基片的至少一个侧面上形成多孔层,(2)至少在多孔层的表面上形成半导体层,(3)在它的周边区域除去半导体层,(4)粘结第二基片到半导体层的表面,(5)从第一基片在多孔层部分分离半导体层,(6)分离后处理第一基片的表面,并重复上面的步骤(1)到(5)。该方法能以小力分离薄膜半导体层,几乎无裂、断或损,可高效率地制造高性能的产品。
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公开(公告)号：CN1244724A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN99111393.4
申请日：1999-07-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1876 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时,硅材料溶入高温的熔融液中,然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后,其温度逐渐降低,由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个外延中,主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程,该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。
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公开(公告)号：CN116728963A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310224701.2
申请日：2023-03-09
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及液体排出装置、液体排出方法、物品的制造方法。需要一种在具备用于调整墨的粘度的加热部的液体排出装置中能够稳定地持续排出的方法。一种液体排出装置，其中，具备沿着墨循环地流动的方向依次连接有第一容器、脱气模块、第一头单元的第一环流路，在所述第一头单元，沿着墨流动的方向依次配置有第二容器和排出头，连接有对贮存于所述第二容器的墨进行加热的加热部，对由所述加热部加热后的墨中的未被所述排出头排出的墨进行冷却，使冷却后的所述墨流入所述脱气模块。
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公开(公告)号：CN1239754C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200410032371.4
申请日：2000-06-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C25D11/32 , C25D17/10 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形状。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。
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公开(公告)号：CN1188898C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN00121745.3
申请日：2000-06-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C25D11/32 , C25D17/10 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 采用薄膜晶体半导体层生产半导体部件和太阳能电池的方法，包括步骤：(1)阳极化第一基片的表面，在基片的至少一个侧面上形成多孔层，(2)至少在多孔层的表面上形成半导体层，(3)在它的周边区域除去半导体层，(4)粘结第二基片到半导体层的表面，(5)从第一基片在多孔层部分分离半导体层，(6)分离后处理第一基片的表面，并重复上面的步骤(1)到(5)。该方法能以小力分离薄膜半导体层，几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。
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