本发明涉及一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM，属于半导体制造技术领域，用以解决现有工艺导致的栅极之间间距小，器件可靠性差的问题。栅极侧墙结构包括：半导体衬底；栅极，位于半导体衬底上；栅极侧墙，位于栅极的侧壁上；栅极侧墙的外侧面为凹向栅极侧壁方向的曲面。栅极侧墙的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成栅极材料层，对栅极材料层进行刻蚀，形成晶体管的栅极；在半导体衬底和栅极上形成栅极侧墙材料层；在栅极侧墙材料层上形成氧化绝缘膜；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第一次化学机械平坦化处理；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第二次化学机械平坦化处理。本发明增大了栅极之间电压，改善了器件可靠性。