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公开(公告)号：CN117038440A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210467779.2
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种栅极氧化层制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极沟槽；在同一设备中进行原子层沉积工艺和自由基氧化工艺以原位方式在所述栅极沟槽的底部及侧壁形成栅极氧化层，简化了工艺步骤，解决了栅极氧化层的界面污染以及厚度变薄的问题。
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公开(公告)号：CN114734370B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202011541414.7
申请日：2020-12-23
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种抛光头和化学机械抛光设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中化学机械抛光存在凹陷和/或侵蚀导致晶圆良率较低的问题。本发明的抛光头包括供电单元和抛光膜，该抛光膜的工作面设有导电层，供电单元与导电层连接，构成电流通路。本发明的化学机械抛光设备包括上述抛光头。本发明的抛光头和化学机械抛光设备可用于晶圆的化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN114589619B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011397105.7
申请日：2020-12-03
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供一种半导体研磨垫，包括：研磨垫主体；孔结构，均匀分布在所述研磨垫主体内，所述孔结构与所述研磨垫主体的界面具有褶皱。还提供一种半导体研磨垫制备方法，包括：将粉末状态的分散体进行处理，以使所述分散体表面形成划痕；将表面具有划痕的分散体投入液体状态的研磨垫主体材料中，以形成分散体与所述研磨垫主体材料的混合物；将所述混合物进行固化并成型，以形成研磨垫。本发明提供的半导体研磨垫能够提高研磨垫对抛光液的吸收量，提高研磨效率。
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公开(公告)号：CN114823489A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110113750.X
申请日：2021-01-27
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
摘要： 本发明涉及一种金属线或金属件的形成方法，属于半导体制造领域，用以去除现有技术制备的金属线或金属件中的缺陷。该方法包括：提供一衬底，在衬底上沉积初始厚度的绝缘层；在初始厚度的绝缘层中形成金属通孔；在金属通孔中形成金属线或金属件，金属线或金属件的高度大于初始厚度的绝缘层；对金属线或金属件与初始厚度的绝缘层进行第一次去除处理至初始厚度的绝缘层的顶面或顶面以下，得到第一厚度的绝缘层；对第一厚度的绝缘层进行刻蚀处理，得到第二厚度的绝缘层，其中，第二厚度小于第一厚度；对金属线或金属件和第二厚度的绝缘层进行第二次去除处理。本发明能有效改善金属线或金属件的成型质量。
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公开(公告)号：CN114743868A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110028165.X
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/762 , H01L27/108 , H01L29/423
摘要： 本发明涉及一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM，属于半导体制造技术领域，用以解决现有工艺导致的栅极之间间距小，器件可靠性差的问题。栅极侧墙结构包括：半导体衬底；栅极，位于半导体衬底上；栅极侧墙，位于栅极的侧壁上；栅极侧墙的外侧面为凹向栅极侧壁方向的曲面。栅极侧墙的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成栅极材料层，对栅极材料层进行刻蚀，形成晶体管的栅极；在半导体衬底和栅极上形成栅极侧墙材料层；在栅极侧墙材料层上形成氧化绝缘膜；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第一次化学机械平坦化处理；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第二次化学机械平坦化处理。本发明增大了栅极之间电压，改善了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN114628274A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011440008.1
申请日：2020-12-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法，该半导体制造设备包括反应腔室、载台和喷头组件，载台设置在反应腔室中，载台用于承载晶圆；喷头组件也设置在反应腔室中，且喷头组件设置在载台的上方，喷头组件包括第一喷头和第二喷头，第二喷头环设在第一喷头的外围，第一喷头用于喷洒反应气体，第二喷头用于在晶圆卸载过程中对晶圆进行吹扫。本发明公开的半导体制造设备中，第二喷头在晶圆的卸载过程中吹扫晶圆的表面，从而能够减少或去除污染物颗粒，避免污染物颗粒影响产品良率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。
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公开(公告)号：CN114517292A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011299798.6
申请日：2020-11-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明实施例公开了一种晶圆托盘结构及设备，其中晶圆托盘结构包括：托盘底和环状结构，盘壁为环状结构，环状结构设置在托盘底的边缘，可对晶圆进行限位；其中，环状结构上环绕设置有弧形凸起；当晶圆放置在托盘底时，弧形凸起的高度大于或等于晶圆的边缘高度，可在CVD工艺过程中防止晶圆边部的离子反射，有效的降低了离子浓度，保证了晶圆边缘部分和中心部分的离子浓度均匀性。
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公开(公告)号：CN114334702A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061636.9
申请日：2020-09-30
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请涉及半导体衬底的处理装置，具体包括：处理室；衬底支承件；向所述处理室供给处理气体的处理气体供给系统，所述处理气体供给系统包括沿垂直方向延伸的管嘴，且所述管嘴上沿垂直方向上至少开设有两列气体喷嘴。本申请通过开设两列气体喷嘴，可以有效改善气体喷洒的均匀性，从而保证被处理衬底表面都能被处理气体均匀喷洒覆盖，从而保证扩散等衬底处理的效果。
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公开(公告)号：CN114308947A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061643.9
申请日：2020-09-30
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： B08B9/093 , B08B9/08 , C01B33/035
摘要： 本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN114203576A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010992357.8
申请日：2020-09-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种半导体加工设备，包括：加工腔室、液冷装置和液体抽放装置；所述液冷装置和所述液体抽放装置均与所述加工腔室连接；所述加工腔室包括：腔体和盖体；所述液冷装置用于对冷却液进行降温，并在所述腔体与所述盖体盖合时，向所述腔体或/和所述盖体内输送冷却液；所述液体抽放装置用于在需要将所述腔体与所述盖体分离时，将所述加工腔室内的冷却液抽离出所述加工腔室，并将抽离出的冷却液进行储存；所述液体抽放装置还用于在所述腔体与所述盖体分离后且需要将所述腔体与所述盖体盖合时，将储存的冷却液输送至所述加工腔室内。本发明能够保证加工腔室的加工性能。
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