本发明公开一种掩埋沟道晶体管及其制造方法、半导体器件及电子设备，涉及半导体制造技术领域，以解决在现有关键尺寸要求下，栅堆叠性能差的问题。所述一种掩埋沟道晶体管包括：基底和栅堆叠；所述基底开设有沟槽，以及形成在所述沟槽内的栅堆叠；所述栅堆叠包括阻挡层和导电层；所述阻挡层位于所述沟槽与所述导电层之间；所述阻挡层的势垒大于预设势垒阈值，所述导电层的导电率大于预设导电率阈值。所述掩埋沟道晶体管用于制造半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。