本发明提供了一种半导体改进结构及功率半导体器件，在现有半导体元胞结构的基础上，于漂移区旁增设一个由高介电常数介质形成的类金属场板，通过该类金属场板调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，能获得更高的击穿电压；同时，其工艺相对其他现有高压低漂移区导通电阻半导体元胞结构更容易实现，降低了同样的电压因电荷失配导致的损失，包括介质层电荷引起的失配，这对降低工艺实施难度和工艺能力的要求，提高成品率有很大冗余度和好处，同时也提高了该结构工作的稳定性。