发明公开
- 专利标题： 一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法
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申请号： CN202210721823.8申请日： 2022-06-24
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公开(公告)号： CN115020490A公开(公告)日： 2022-09-06
- 发明人: 刘志宏 , 何佳琦 , 赵雪利 , 许淑宁 , 危虎 , 邢伟川 , 游淑珍 , 杨伟涛 , 周瑾 , 张进成 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
- 申请人地址： 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 专利权人： 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 代理机构： 西安智大知识产权代理事务所
- 代理商 段俊涛
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/10 ; H01L21/335
摘要：
本发明公开了一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的源电极、栅电极和漏电极；其中，沟道层和势垒层具有一台阶，台阶上表面为三族氮化物半导体的极型面，台阶侧面为三族氮化物半导体的非极型面。源电极和漏电极设在台阶上表面，栅电极覆盖台阶侧面。在台阶侧面附近、沟道层和势垒层的界面处，由于三族氮化物半导体非极型面的极化系数很弱，栅电极不加偏压的时候无二维电子气产生，从而得到增强型GaN基HEMT器件。
IPC分类:
