公开(公告)号：CN118782614A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410855907.X

申请日：2024-06-28

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 罗诗文 ,  何佳琦 ,  李晓燕 ,  董高峰 ,  冯欣 ,  杜航海 ,  侯松岩 ,  邢伟川 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/363

摘要： 本发明公开了一种基于还原技术实现的SnOx基反相器结构和制备方法。所述SnOx基反相器的器件结构包括:衬底；PMOS沟道层，NMOS沟道层，位于所述衬底上；PMOS漏电极，PMOS栅电极，PMOS源电极，位于所述PMOS沟道层上；NMOS漏电极，NMOS栅电极，NMOS源电极，位于所述NMOS沟道层上；保护介质层，位于所述NMOS沟道层、NMOS漏电极、NMOS源电极、NMOS栅电极上。所述制备方法包括在衬底层上淀积n型SnO2，对部分SnO2进行还原处理，形成SnO，呈现p型特性，进而基于所获得的n型SnO2和p型SnO进行栅、漏、源电极制备，获得SnOx基反相器。本发明的SnOx基反相器工艺步骤简单、制作成本低，性价比较高。

公开(公告)号：CN114899232A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210419893.8

申请日：2022-04-21

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  何佳琦 ,  邢伟川 ,  冯欣 ,  杨伟涛 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于氮化镓的透明晶体管及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用透明材料，沟道层材料为氮化镓，势垒层材料为镓铝氮或铟镓氮，电极采用透明导电材料。本发明提供了一种氮化镓基晶体管，通过选取可见光区间透明的材料制备晶体管，改善了结构的整体透光率，并提出了可行的制备方法，可将其应用于透明电子学领域。

公开(公告)号：CN117832261A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410055963.5

申请日：2024-01-15

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 董高峰 ,  刘志宏 ,  何佳琦 ,  李妍仪 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  杨伟涛 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

摘要： 一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底层、III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层，在III‑N势垒层上设置有直角梯形P型GaN栅、源电极和漏电极，P型GaN栅顶面设置栅金属电极；方法包括先在衬底层上依次生长III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层和P型GaN层材料，再制备具有小底切角的光刻胶图案，并刻蚀掉没有光刻胶图案的P型GaN层材料，得到一侧为斜坡的直角梯形P型GaN栅，最后在III‑N势垒层表面制备源电极和漏电极，并在P型GaN栅顶面制备栅金属电极；P型GaN栅实现了增强型工作，且其单端倾斜结构的设计，减少了栅漏之间的局域电场尖峰，从而增强了器件的击穿电压，抑制了器件的电流崩塌效应，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN115312378A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211024320.1

申请日：2022-08-24

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  何佳琦 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  张苇杭 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。

公开(公告)号：CN115020490A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210721823.8

申请日：2022-06-24

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  何佳琦 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  游淑珍 ,  杨伟涛 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的源电极、栅电极和漏电极；其中，沟道层和势垒层具有一台阶，台阶上表面为三族氮化物半导体的极型面，台阶侧面为三族氮化物半导体的非极型面。源电极和漏电极设在台阶上表面，栅电极覆盖台阶侧面。在台阶侧面附近、沟道层和势垒层的界面处，由于三族氮化物半导体非极型面的极化系数很弱，栅电极不加偏压的时候无二维电子气产生，从而得到增强型GaN基HEMT器件。

公开(公告)号：CN116387344A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310414231.6

申请日：2023-04-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 何佳琦 ,  刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  冯欣 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法，属于半导体功率器件领域。该结构包括：衬底层、缓冲层、漏极重掺杂N+型氮化镓层、低掺杂N‑型氮化镓漂移层、栅下P型氮化镓区、栅下金属、P型基区层、源极重掺杂N+型氮化镓层、P型基区接触金属、栅介质、钝化层、栅电极、源漏电极以及互联金属层。本发明以氮化镓基准垂直结构MOSFET器件为基础，在栅极沟槽底部添加P型氮化镓区域，制备欧姆接触电极将其与源电极连接，在为单粒子入射产生的空穴提供额外的泄露路径，从而降低寄生BJT开启的可能性，提升器件的抗辐射性能，从而使器件更好的适应宇航环境。