公开(公告)号：CN115910781A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211434356.7

申请日：2022-11-16

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  张苇杭 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了大尺寸晶圆透明GaN HEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaN HEMT器件。

公开(公告)号：CN114899232A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210419893.8

申请日：2022-04-21

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  何佳琦 ,  邢伟川 ,  冯欣 ,  杨伟涛 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓的透明晶体管及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用透明材料，沟道层材料为氮化镓，势垒层材料为镓铝氮或铟镓氮，电极采用透明导电材料。本发明提供了一种氮化镓基晶体管，通过选取可见光区间透明的材料制备晶体管，改善了结构的整体透光率，并提出了可行的制备方法，可将其应用于透明电子学领域。

公开(公告)号：CN115312378A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211024320.1

申请日：2022-08-24

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  何佳琦 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  张苇杭 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。

公开(公告)号：CN115020490A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210721823.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  何佳琦 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  游淑珍 ,  杨伟涛 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的源电极、栅电极和漏电极；其中，沟道层和势垒层具有一台阶，台阶上表面为三族氮化物半导体的极型面，台阶侧面为三族氮化物半导体的非极型面。源电极和漏电极设在台阶上表面，栅电极覆盖台阶侧面。在台阶侧面附近、沟道层和势垒层的界面处，由于三族氮化物半导体非极型面的极化系数很弱，栅电极不加偏压的时候无二维电子气产生，从而得到增强型GaN基HEMT器件。

公开(公告)号：CN116387344A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310414231.6

申请日：2023-04-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 何佳琦 ,  刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  冯欣 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法，属于半导体功率器件领域。该结构包括：衬底层、缓冲层、漏极重掺杂N+型氮化镓层、低掺杂N‑型氮化镓漂移层、栅下P型氮化镓区、栅下金属、P型基区层、源极重掺杂N+型氮化镓层、P型基区接触金属、栅介质、钝化层、栅电极、源漏电极以及互联金属层。本发明以氮化镓基准垂直结构MOSFET器件为基础，在栅极沟槽底部添加P型氮化镓区域，制备欧姆接触电极将其与源电极连接，在为单粒子入射产生的空穴提供额外的泄露路径，从而降低寄生BJT开启的可能性，提升器件的抗辐射性能，从而使器件更好的适应宇航环境。