本发明涉及一种铁电组装栅场效应晶体管的多值存储器件，包括：衬底层；以及依次层叠设置在衬底层表面的组装栅介质和栅电极；其中，组装栅介质包括介电层以及若干组铁电模块，铁电模块沿着沟道方向间隔设置在介电层内；根据漏极电压的不同控制组装栅介质中极化翻转的铁电模块的数目。本发明的铁电组装栅场效应晶体管的多值存储器件，可以实现3‑bit及以上的高密度多值存储，且各存储态呈现分立的特征，可以有效避免存储器件在受到制备工艺涨落、环境温度涨落、串扰电场以及器件微疲劳导致的极化翻转出现扰动的时候，出现读取错误的问题。