发明公开
- 专利标题: 一种垂直氮化镓基鳍式射频晶体管及制备方法
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申请号: CN202210768280.5申请日: 2022-07-01
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公开(公告)号: CN115241292A公开(公告)日: 2022-10-25
- 发明人: 刘志宏 , 陈淑莹 , 唐从威 , 樊雨佳 , 危虎 , 周瑾 , 冯欣 , 侯松岩 , 杨伟涛 , 张进成 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
- 申请人地址: 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 专利权人: 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 刘长春
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/20 ; H01L29/423 ; H01L21/336
摘要:
本发明涉及一种垂直氮化镓基鳍式射频晶体管及制备方法,射频晶体管包括:衬底层;漏极接触层,所述漏极接触层设置于所述衬底层之上;沟道层,所述沟道层设置于部分所述漏极接触层之上;源极接触层,所述源极接触层设置于所述第二沟道子层之上;两个漏电极,两个所述漏电极均设置于所述漏极接触层的两端,且所述沟道层位于两个所述漏电极之间;两个栅电极,两个所述栅电极均设置于所述第一沟道子层之上,所述第二沟道子层位于两个所述栅电极之间,且所述栅电极的侧边与所述第二沟道子层的侧边相接处;源电极,源电极设置于源极接触层之上。本发明提出一种采用垂直鳍片结构的射频晶体管,栅长由栅电极金属材料的厚度决定,更容易实现超短栅长。
IPC分类: