发明公开
- 专利标题： 用于优化光刻工艺的方法和装置
-
申请号： CN202210953036.6申请日： 2018-03-28
-
公开(公告)号： CN115309005A公开(公告)日： 2022-11-08
- 发明人: M·豪普特曼 , E·C·莫斯 , 寇伟田 , A·伊普玛 , M·库珀斯 , 刘贤优 , 韩敏燮
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维德霍温
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 张昊
- 优先权： 17168801.3 20170428 EP
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; G03F9/00
摘要：
对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
IPC分类:
