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公开(公告)号：CN109917622A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910250499.4
申请日：2016-03-25
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·C·莫斯 , V·A·伊格纳托瓦 , E·詹森 , M·库比斯 , H·J·G·西蒙斯 , P·滕伯格 , E·J·M·沃勒博斯 , J·S·维尔登贝尔格
摘要： 一种方法，包括：根据横跨衬底的测量数据，相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数，对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价；以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个或多个测量采样方案。
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公开(公告)号：CN101622581A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200780050777.7
申请日：2007-12-03
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70725 , G03F7/70258 , G03F7/70358 , G03F7/70458 , G03F7/70525 , G03F7/70633 , G03F7/70783
摘要： 本发明提供一种光刻设备，其包括构造成调节辐射束的照射系统、用于图案形成装置的支撑结构、用于衬底的衬底台、投影系统和控制系统。图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。投影系统构造成将图案化的辐射束作为图像沿扫描路径投射到衬底的目标部分上。扫描路径由光刻设备的曝光场的扫描方向上的轨迹限定。控制系统耦合到支撑结构、衬底台和投影系统上用于分别控制支撑结构、衬底台和投影系统的动作。控制系统构造成通过在沿扫描路径的区域中临时的图像调节来校正该区域内的图像的局部变形。
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公开(公告)号：CN1534387A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03164840.1
申请日：2003-09-19
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
摘要： 在基底上用于所述基底光学对准的标记结构，所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件，在使用所述标记结构中，用于提供所述的光学对准，根据设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束，用传感器检测从所述标记结构上接收到的光线，由所述被检测的光确定对准信息，所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息。
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公开(公告)号：CN110573966B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880027615.X
申请日：2018-03-28
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G05B19/418
摘要： 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN109917622B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910250499.4
申请日：2016-03-25
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·C·莫斯 , V·A·伊格纳托瓦 , E·詹森 , M·库比斯 , H·J·G·西蒙斯 , P·滕伯格 , E·J·M·沃勒博斯 , J·S·维尔登贝尔格
摘要： 一种方法，包括：根据横跨衬底的测量数据，相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数，对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价；以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个或多个测量采样方案。
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公开(公告)号：CN1534271A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03164841.X
申请日：2003-09-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·德博伊夫 , F·博内布罗伊克 , H·A·J·克拉梅 , M·杜沙 , R·J·F·范哈伦 , A·G·M·基尔斯 , J·L·克鲁泽 , M·范德沙尔 , P·J·范维南 , E·C·莫斯 , P·W·H·贾格 , H·范德拉安 , P·F·利尔曼恩
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
摘要： 一种器件检验的方法，该方法包括在器件上提供一个被检验的不对称标记，标记的不对称形式由要检验的参数决定，引导光至标记，通过检测特定波长的衍射光或衍射角，获得标记的第一位置测量，通过检测不同波长的衍射光或衍射角，获得标记的第二位置测量，比较第一与第二所测量位置以确定表示标记不对称程度的位移。
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公开(公告)号：CN115309005A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210953036.6
申请日：2018-03-28
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN100470375C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610136219.X
申请日：2003-12-15
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F9/7019 , G03F9/7011
摘要： 一种光刻投射装置，包括：用于支撑构图部件的支撑结构；用于保持基底的基底台，所述基底具有对准结构。对准系统设置为：测量由对准结构反射或透射的光的特性；根据光学特性确定所述对准结构相对于构图部件的位置；以及根据该位置控制构图部件相对于基底的定位。对准系统包含代表一种参数表示模型的信息，参数表示模型说明对准结构的物理特性，对准系统设置为估计模型的一个或多个参数值，所述一个或多个参数值根据光学系统的物理法则导致了由对准结构测量的测得特性；确定位置，所述位置对应于以一个或多个估计值为条件的测得特性。其中，模型的一个或多个参数值描述对准结构的几何特性。本发明还提供一种器件制造方法。
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公开(公告)号：CN1916770A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610135759.6
申请日：2006-07-11
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F9/7003 , G03F7/70516 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F9/7011 , G03F9/7019
摘要： 本发明涉及一种选择栅格模型以在光刻设备中针对栅格变形来修正工艺配方的方法。首先，提供一组栅格模型。随后，通过对多个衬底上的多个对准标记执行对准测量来获得对准数据。对于每个栅格模型，检查对准数据是否适于求解该栅格模型。如果是的话，则栅格模型被添加到栅格模型的子组中。选择具有最低余量的栅格模型。除了对准数据之外，通过对多个衬底上的多个套刻标记执行套刻测量来获得计量数据。然后，针对该子组中的每个栅格模型可以确定所模拟的计量数据，该所模拟的计量数据被用于确定套刻性能指标。然后，利用套刻性能指标来选择栅格模型。
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公开(公告)号：CN1514306A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310121697.X
申请日：2003-12-15
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F9/7019 , G03F9/7011
摘要： 在器件制造过程中，投射光束通过掩模投射到基底上。利用基底上的对准结构将基底与掩模对准。利用对准结构反射光的特性来确定基底的相对位置。先前对基底的处理可能引起根据反射光确定的位置中的误差。对反射光特性的测量用于确定对加工基底引起的误差进行校正所需的校正量。对准结构的物理模型的参数优选根据反射光进行估计并用于确定校正。优选地，测量多个不同衍射峰值的振幅来确定校正。
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