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公开(公告)号：CN110573966A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027615.X
申请日：2018-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN109154781A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115309005A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210953036.6
申请日：2018-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN109154781B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN113467195B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110819582.6
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN110573966B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880027615.X
申请日：2018-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN113467195A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110819582.6
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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