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公开(公告)号：CN111164515A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
摘要： 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN109891341A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780064966.3
申请日：2017-09-21
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G05B19/418
摘要： 在多个半导体晶片(900；1020)上执行一种光刻过程。所述方法包括选择一个或更多个晶片作为样本晶片(910-914；1030-1034)。仅在所选择的样本晶片上执行量测步骤(922；1042)。基于所选择的样本产品单元的量测结果(924；1046)，限定用于控制所述晶片或未来晶片的处理的校正。样本产品单元的选择至少部分地基于关于晶片测量的物体数据(902；1006)的统计分析。可以使用相同的物体数据或其它数据用于将晶片分组成多个组。选择样本晶片可以包括选择通过所述统计分析识别为它们的组中最具代表性的晶片的晶片(910-914；1030-1034)。选择样本晶片可以包括去除被识别为不具有代表性的产品单元(916；1036)。
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公开(公告)号：CN110573966A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027615.X
申请日：2018-03-28
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G05B19/418
摘要： 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN111512235A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082787.7
申请日：2018-11-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·里泽斯特拉 , C·J·H·兰姆布列支 , W·T·特尔 , S·罗伊 , C·D·格乌斯塔 , 粘惎非 , 寇伟田 , 陈彰伟 , P·G·J·斯莫恩伯格
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本文中描述了一种用于确定对图案化过程的校正的方法。该方法包括：获得图案化过程的多个品质(例如多个参数映射，或者一个或更多个校正)，所述多个品质是从量测数据以及在图案化过程中使用的设备的数据导出的；由硬件计算机系统从所述多个品质中选择代表性品质；以及由硬件计算机系统基于代表性品质确定对图案化过程的校正。
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公开(公告)号：CN108369412A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072108.9
申请日：2016-09-21
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G05B19/418 , G03F7/20
摘要： 在光刻过程中，在不同的上下文中处理一系列晶片(W(i))。接收物体数据(ODAT/PDAT)，该物体数据可以是例如表示针对之前已经处理的晶片的集合所测量的重叠的性能数据(PDAT)。上下文数据(CDAT)表示在所述集合内的晶片之间变化的光刻过程的参数。通过该性能数据的主分量分析或其它统计分析(410)，晶片的集合分割成两个或更多个子集(412)。使用晶片的第一分割和上下文数据(414)来识别一个或更多个相关的上下文参数(418)，该上下文参数是被观察为与第一分割最强地相关的光刻过程的参数。通过参考已识别的相关的上下文参数针对于新晶片控制光刻设备(400)。描述了具有反馈控制和前馈控制的实施例。
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公开(公告)号：CN115294068A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210951655.1
申请日：2018-11-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·里泽斯特拉 , C·J·H·兰姆布列支 , W·T·特尔 , S·罗伊 , C·D·格乌斯塔 , 粘惎非 , 寇伟田 , 陈彰伟 , P·G·J·斯莫恩伯格
摘要： 本文中描述了一种用于确定对图案化过程的校正的方法。该方法包括：获得图案化过程的多个品质(例如多个参数映射，或者一个或更多个校正)，所述多个品质是从量测数据以及在图案化过程中使用的设备的数据导出的；由硬件计算机系统从所述多个品质中选择代表性品质；以及由硬件计算机系统基于代表性品质确定对图案化过程的校正。
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公开(公告)号：CN110573966B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880027615.X
申请日：2018-03-28
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G05B19/418
摘要： 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN111164515B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
摘要： 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN109863456B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201780065318.X
申请日：2017-09-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 寇伟田 , A·伊普玛 , M·豪普特曼 , M·屈珀斯 , L·M·韦尔甘-于泽 , E·J·M·瓦勒博斯 , E·H·A·德尔维涅 , W·S·C·勒洛夫斯 , H·E·采克利 , S·C·T·范德山登 , C·D·格乌斯塔 , D·F·S·德克尔 , M·焦洛 , I·多夫博什
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了一种确定与衬底上的光刻过程相关的过程参数的校正的方法和相关联的设备。所述光刻过程包括多次运行，在多次运行中的每一次运行期间将图案施加到一个或更多个衬底。所述方法包括获得用于描述所述衬底的属性的曝光前的量测数据；获得曝光后的量测数据，所述曝光后的量测数据包括已经对一个或更多个先前曝光的衬底执行的过程参数的一个或更多个测量值；基于所述曝光前的量测数据，将来自一个或更多个组的组员关系状态分配给所述衬底；和基于所述组员关系状态和所述曝光后的量测数据确定所述过程参数的校正。
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