本发明提供一种并联FRD的双芯片IGBT结构及制作方法，该方法包括：提供第一导电类型衬底，衬底包括IGBT形成区域和FRD形成区域；于FRD形成区域的衬底中形成第二导电类型掺杂的FRD极区；于IGBT形成区域的衬底中形成栅极结构；于IGBT形成区域的衬底中形成第二导电类型掺杂的阱区，并于阱区中形成第一导电类型掺杂的发射区；于发射区上形成发射极金属层，于FRD极区上形成FRD第一电极；于衬底远离发射区的一面形成背面金属层。本发明通过于同一衬底上形成IGBT芯片和匹配的FRD芯片，能够减少封装上芯次数，降低封装面积；并且，双芯片设计能够降低芯片边缘和中间位置的应力，提高生产良率。