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公开(公告)号：CN117199120B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311466901.5
申请日：2023-11-07
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L27/02 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及半导体技术领域。本发明涉及一种IGBT器件结构及其制备方法。IGBT器件结构包括：IGBT器件和PNP三极管；PNP三极管的集电极与IGBT发射极电连接，PNP三极管的基极与IGBT栅极电连接。本发明的IGBT器件结构中，通过在IGBT器件的IGBT发射极和IGBT栅极之间增设PNP三极管，当IGBT器件结构短路发生时，PNP三极管会处于放大状态，将IGBT器件的IGBT栅极和IGBT发射极短接，关断IGBT器件，降低电流，不需要降低IGBT器件的电流密度即可保证IGBT器件的短路能力，会降低IGBT器件的导通损耗，提高IGBT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN117238897A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311466900.0
申请日：2023-11-07
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L23/62 , H01L25/18 , H01L29/739 , H01L29/73 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及半导体技术领域。本发明涉及一种IGBT器件结构及其制备方法。IGBT器件结构包括：电路板；第一芯片，位于电路板上；第一芯片内具有IGBT器件；第二芯片，位于第一芯片的上方；第二芯片包括PNP三极管；PNP三极管的集电极经由电路板与IGBT发射极电连接，PNP三极管的基极经由电路板与IGBT栅极电连接。本发明的IGBT器件结构，当IGBT器件结构短路发生时，PNP三极管会处于放大状态，将IGBT器件的IGBT栅极和IGBT发射极短接，关断IGBT器件，降低电流，不需要降低IGBT器件的电流密度即可保证IGBT器件的短路能力，会降低IGBT器件的导通损耗，提高IGBT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN117116981A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311313933.1
申请日：2023-10-10
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/868 , H01L23/34 , H01L21/331
摘要： 本发明提供一种具有结温检测二极管的沟槽型IGBT器件及其制作方法，该器件包括半导体层、元胞、第一导电类型阱区及第一金属层，半导体层具有包括元胞区的第一导电类型漂移层，元胞及第一导电类型阱区均位于第一导电类型漂移层，第一导电类型阱区环绕元胞区，元胞包括沟槽栅、第二导电类型阱区及第一导电类型掺杂区，第一导电类型阱区、第一导电类型漂移层及第二导电类型阱区构成PIN二极管，第一金属层位于半导体层上，包括贯穿第一导电类型掺杂区与第二导电类型阱区电连接的第一金属及与第二导电类型阱区电连接的第二金属。该IGBT器件设置有PIN二极管，通过对二极管的Vf检测能检测器件实时结温，且不需额外的工艺步骤和制作成本。
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公开(公告)号：CN117116938A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311381526.4
申请日：2023-10-24
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/73
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种功率器件及其制备方法，该功率器件包括：IGBT；开关模块，与所述IGBT发射极和栅极连接，用于在所述IGBT短路时将所述IGBT发射极和栅极短接；所述开关模块设置于所述IGBT内部。通过设置开关模块在IGBT处于短路状态时将其发射极和栅极短接，降低电流，保护该功率器件，以解决现有技术中通过Driver IC控制IGBT器件关断降低电流会极大的增加器件的导通损耗，使器件的工作效率降低的问题。
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公开(公告)号：CN115714138B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211408019.0
申请日：2022-11-10
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/417 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT器件的发射极、IGBT栅极和集电极；虚设栅极，设置于栅极和发射极之间；第一NMOS管，第一NMOS管设置于IGBT栅极和虚设栅极之间，第一NMOS管的源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；第二NMOS管，第二NMOS管设置于虚设栅极和发射极之间，第二NMOS管的源极与虚设栅极电连接，漏极与发射极电连接，栅极通过电感与发射极电连接。本发明通过在器件不同工作状态(导通状态和关断过程)时控制虚设栅极的电位的变化，可以有效改善器件发热，提升功率密度，进而提升器件性能，使IGBT器件可用于更高频率的应用。
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公开(公告)号：CN116190435A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211405951.8
申请日：2022-11-10
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/311 , H01L29/417 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT的发射极、栅极和集电极；虚设栅极，设置于栅极和IGBT发射极之间；NMOS管，其源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；NPN三极管，其集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过电感与IGBT发射极电连接；PNP三极管，其集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过所述电感与IGBT发射极电连接。本发明通过在器件不同工作状态(导通、开通和关断)时控制虚设栅极的电位的变化，可以有效改善器件发热，提升功率密度，进而提升器件性能，使IGBT器件可用于更高频率的应用。
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公开(公告)号：CN115566060A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211408017.1
申请日：2022-11-10
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/417 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT发射极、IGBT栅极和IGBT集电极；虚设栅极，设置于栅极和IGBT发射极之间；NMOS管，设置于IGBT栅极和虚设栅极之间，NMOS管的源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；NPN三极管，设置于虚设栅极和IGBT发射极之间，NPN三极管的集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过电感与IGBT发射极电连接。本发明通过在器件不同工作状态(导通状态和关断过程)时控制虚设栅极的电位的变化，可以有效改善器件发热，提升功率密度，进而提升器件性能，使IGBT器件可用于更高频率的应用。
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公开(公告)号：CN114464675A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111663817.3
申请日：2021-12-31
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要： 本发明提供了一种复合栅IGBT器件结构及其制备方法，复合栅IGBT器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底，其具有相对设置的上表面和下表面；第二导电类型的体区，形成于半导体衬底的上表面一侧；第一导电类型的阱区，形成于体区中；复合栅结构，位于半导体衬底的上表面及内部；复合栅结构包括相连的位于半导体衬底表面的平面栅部分以及位于半导体衬底内部的沟槽栅部分。本发明通过引入具有平面栅部分和沟槽栅部分的复合栅结构，将平面栅结构和沟槽栅结构同时引入IGBT的元胞，以在确保IGBT沟道密度和电流密度大的同时，增强IGBT器件的频率特性和抗短路能力。
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公开(公告)号：CN118016664A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311476679.7
申请日：2023-11-07
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L27/07 , H01L23/48 , H01L21/8249 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种IGBT器件结构及其制备方法。IGBT器件结构包括：IGBT器件；PMOS管；PMOS管的漏极与所述IGBT发射极电连接，所述PMOS管的栅极与所述IGBT栅极电连接。本发明的IGBT器件结构中，通过在IGBT器件的IGBT发射极和IGBT栅极之间增设PMOS管，当IGBT器件结构短路发生时，PMOS管的栅极会导通，将IGBT器件的IGBT栅极和IGBT发射极短接，关断IGBT器件，降低电流，不需要降低IGBT器件的电流密度即可保证IGBT器件的短路能力，会降低IGBT器件的导通损耗，可以提高IGBT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN117476634A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311474851.5
申请日：2023-11-07
申请人： 上海功成半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种IGBT器件结构及其制备方法。IGBT器件结构包括：电路板；第一芯片，位于电路板上；第一芯片内具有IGBT器件；第二芯片，位于第一芯片的上方；第二芯片包括PMOS管；PMOS管的漏极经由电路板与IGBT发射极电连接，PMOS管的栅极经由电路板与IGBT栅极电连接。本发明的IGBT器件结构，当IGBT器件结构短路发生时，PMOS管的栅极会导通，将IGBT器件的IGBT栅极和IGBT发射极短接，关断IGBT器件，降低电流，不需要降低IGBT器件的电流密度即可保证IGBT器件的短路能力，会降低IGBT器件的导通损耗，可以提高IGBT器件的工作效率。
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