发明公开
CN115528020A 半导体装置及其制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
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申请号： CN202210234552.3申请日： 2022-03-10
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公开(公告)号： CN115528020A公开(公告)日： 2022-12-27
- 发明人: 竹立炜 , 林文傑 , 苏郁迪 , 蔡明甫 , 李介文
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 17/459,878 20210827 US
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02
摘要：
一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括第一半导体材料中的第一掺杂区域及第二掺杂区域，第一掺杂区域与第二掺杂区域分开；位于第一掺杂区域与第二掺杂区域之间的隔离结构；及第一掺杂区域的顶表面上方的第一线，其中第一线的末端及第二线的末端位于隔离结构上方。第一线及第二线具有第一宽度；及位于第一线与第二线之间且位于隔离结构上方的介电材料。第一宽度与半导体装置中的栅电极的宽度基本相似。
IPC分类:
