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公开(公告)号：CN115051336A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210337121.X
申请日：2022-04-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本申请公开了电源钳位。一种ESD电源钳位器件包括：ESD检测电路；控制电路，与ESD检测电路耦合；场效应晶体管(FET)，与控制电路耦合；以及阻抗元件，与FET耦合。该FET包括：漏极端子，与第一电源节点耦合；栅极端子，与控制电路耦合；源极端子，经由阻抗元件与第二电源节点耦合；以及主体端子，与第二电源节点耦合。
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公开(公告)号：CN112530934A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010968158.3
申请日：2020-09-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种半导体装置包括第一二极管、第二二极管、箝位电路及第三二极管。第一二极管耦接在输入/输出(I/O)垫与第一电压端子之间。第二二极管与第一二极管、I/O垫及第二电压端子耦接。箝位电路耦接在第一电压端子与第二电压端子之间。第二二极管及箝位电路用以引导在I/O垫与第一电压端子之间流动的静电放电(electrostatic discharge，ESD)电流的第一部分。耦接至第一电压端子的第三二极管以及第二二极管包括第一半导体结构，其用以引导在I/O垫与第一电压端子之间流动的ESD电流的第二部分。
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公开(公告)号：CN109585449A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810293709.3
申请日：2018-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092
摘要： 本发明实施例阐述一种金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)装置。金属氧化物半导体场效晶体管装置包括：第一类型的衬底；深的第二类型的阱，位于第一类型的衬底中；第一类型的阱，位于深的第二类型的阱之上；以及第二类型的阱，位于深的第二类型的阱之上。第二类型的阱及深的第二类型的阱形成包括第一类型的阱的封闭空间。金属氧化物半导体场效晶体管装置还包括嵌入式半导体区(ESR)，位于封闭空间附近。嵌入式半导体区包括比第一类型的阱的掺杂剂浓度、第二类型的阱的掺杂剂浓度及深的第二类型的阱的掺杂剂浓度中的至少一者低的掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN109149544A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810677616.0
申请日：2018-06-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L27/0285 , H01L27/0296 , H02H9/046 , H02H9/04
摘要： 本发明实施例涉及一种静电放电保护电路。一种静电放电ESD保护电路，其耦合于第一供电总线与第二供电总线之间。所述ESD保护电路包含：检测电路；上拉电路，其耦合到所述检测电路，所述上拉电路包括至少一第一n型晶体管；下拉电路，其耦合到所述上拉电路，所述下拉电路包括至少一第二n型晶体管；及旁通电路，其耦合到所述上拉电路及所述下拉电路，其中所述检测电路经配置以检测ESD事件是否存在于所述第一总线或所述第二总线上，以引起所述上拉电路及所述下拉电路选择性地启用所述旁通电路，来提供所述第一供电总线与所述第二供电总线之间的放电路径。
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公开(公告)号：CN108736697A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201711167485.3
申请日：2017-11-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H02M1/15 , H01L27/092
摘要： 本公开实施例提供一种电容单元。电容单元包括一第一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二PMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管。第一PMOS晶体管耦接于一电源供应端以及一第一节点之间，具有耦接于一第二节点的栅极。第一NMOS晶体管耦接于一接地端以及第二节点之间，具有耦接于第一节点的栅极。第二PMOS晶体管具有耦接于第二节点的漏极与栅极，以及耦接于电源供应端或是第一节点的源极。第二NMOS晶体管具有耦接于第一节点的漏极与栅极，以及耦接于接地端或是第二节点的源极。第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管形成交互耦接的解耦合结构，具有串联通道阻抗的MOS电容值，以增加静电放电保护并降低栅极漏电流。
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公开(公告)号：CN113629049B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011634055.X
申请日：2020-12-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本文公开了一种静电放电器件。该静电放电器件包括静电放电(ESD)检测器、偏置发生器和ESD驱动器，该ESD驱动器包括彼此串联耦合的至少两个晶体管。ESD检测器被配置为检测输入信号并响应于检测到ESD事件而生成检测信号。偏置发生器被配置为根据检测信号生成偏置信号。至少两个晶体管根据偏置信号和逻辑控制信号来控制，并且将输入信号施加在至少两个晶体管两端。本文还公开了用于操作静电放电器件的方法。
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公开(公告)号：CN115528020A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210234552.3
申请日：2022-03-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括第一半导体材料中的第一掺杂区域及第二掺杂区域，第一掺杂区域与第二掺杂区域分开；位于第一掺杂区域与第二掺杂区域之间的隔离结构；及第一掺杂区域的顶表面上方的第一线，其中第一线的末端及第二线的末端位于隔离结构上方。第一线及第二线具有第一宽度；及位于第一线与第二线之间且位于隔离结构上方的介电材料。第一宽度与半导体装置中的栅电极的宽度基本相似。
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公开(公告)号：CN110797337A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910538011.8
申请日：2019-06-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , G06F30/392
摘要： 集成电路设计方法包括：接收集成电路设计，和确定用于所述集成电路设计的平面布置图。所述平面布置图包括多个功能单元和多个分接头单元的布置。确定所述平面布置图中的潜在闩锁位置；以及基于确定的潜在闩锁位置修改所述多个功能单元或所述多个分接头单元中的至少一个的配置。本发明的实施例还提供了分接头单元、集成电路、集成电路设计系统。
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公开(公告)号：CN105322520A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410658326.3
申请日：2014-11-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H02H9/00
CPC分类号： H02H9/04 , H01L27/027
摘要： 本发明提供了放电保护电路及其使用方法。一种电路包括位于第一电源节点和第二电源节点之间的驱动器电路、以及第一和第二静电放电(ESD)保护电路。驱动器电路被配置为在第一输出节点和第二输出节点处产生一对差分信号。第一ESD保护电路耦合在第一输出节点和第二电源节点之间。第一ESD保护电路包括第一晶体管，并且第一晶体管包括位于阱区中的漏极区和源极区。第二ESD保护电路耦合在第二输出节点和第二电源节点之间。第二ESD保护电路包括第二晶体管，并且第二晶体管包括位于阱区中的漏极区和源极区。
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公开(公告)号：CN118116925A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410051170.6
申请日：2024-01-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 一种阱等离子体诱导损伤保护电路，包括衬底、衬底上并包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的p阱区、衬底上且包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的n阱区、保护金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极/源极区，以及至少一个控制电路。第一导电连接件将所选择的漏极/源极区连接到p阱区和n阱区、第二导电连接件将选择的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管彼此连接、以及第三导电连接件，并且第三导电连接件被配置为将保护金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接到至少一个控制电路。本申请的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
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