本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法，是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜，再在所述GaN基QDs薄膜上利用磁控溅射或蒸镀技术沉积Ti/Al/Ti/Au电极，高温退火使其与GaN基QDs薄膜之间形成欧姆接触，获得的GaN基QDs薄膜载流子浓度为(5‑30)×1016 cm‑3的气体传感器。本发明的气体传感器具有ppt‑ppb级检测下限和高的稳定性，并具有良好的生物相容性和环境友好性，可用于气体环境中NO2气体浓度的检测。