公开(公告)号：CN115616041A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211612727.6

申请日：2022-12-15

申请人： 太原理工大学

发明人： 韩丹 ,  刘青明 ,  陈毅 ,  桑胜波 ,  许并社

IPC分类号： G01N27/12 ,  C23C16/34 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C28/00

摘要： 本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法，是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜，再在所述GaN基QDs薄膜上利用磁控溅射或蒸镀技术沉积Ti/Al/Ti/Au电极，高温退火使其与GaN基QDs薄膜之间形成欧姆接触，获得的GaN基QDs薄膜载流子浓度为(5‑30)×1016 cm‑3的气体传感器。本发明的气体传感器具有ppt‑ppb级检测下限和高的稳定性，并具有良好的生物相容性和环境友好性，可用于气体环境中NO2气体浓度的检测。

公开(公告)号：CN115616041B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211612727.6

申请日：2022-12-15

申请人： 太原理工大学

发明人： 韩丹 ,  刘青明 ,  陈毅 ,  桑胜波 ,  许并社

IPC分类号： G01N27/12 ,  C23C16/34 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C28/00

摘要： 本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法，是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜，再在所述GaN基QDs薄膜上利用磁控溅射或蒸镀技术沉积Ti/Al/Ti/Au电极，高温退火使其与GaN基QDs薄膜之间形成欧姆接触，获得的GaN基QDs薄膜载流子浓度为(5‑30)×1016 cm‑3的气体传感器。本发明的气体传感器具有ppt‑ppb级检测下限和高的稳定性，并具有良好的生物相容性和环境友好性，可用于气体环境中NO2气体浓度的检测。

公开(公告)号：CN116593538A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310481026.1

申请日：2023-04-28

申请人： 太原理工大学

发明人： 李栋辉 ,  韩丹 ,  桑胜波 ,  冀健龙 ,  陈毅

IPC分类号： G01N27/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

摘要： 本发明公开了一种GaN/rGO氨气传感器及其制备方法，属于气体检测技术领域；所述的GaN/rGO氨气传感器包括固定在传感器衬底薄膜上的敏感材料；所述敏感材料是由可溶性镓盐、尿素与GO纳米片采用溶剂热方法制备得到的GaN/rGO气敏材料；本发明利用溶剂热方法，结构磁控溅射制备欧姆接触电极，用于实现室温下ppb级别氨气的快速稳定检测；本发明所制备的GaN/rGO氨气传感器具有良好的室温响应恢复特性，为医疗和工业生产等领域对氨气的检测提出了高效的技术解决方案。