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公开(公告)号：CN115616041B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211612727.6
申请日：2022-12-15
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： G01N27/12 , C23C16/34 , C23C14/18 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C28/00
摘要： 本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法，是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜，再在所述GaN基QDs薄膜上利用磁控溅射或蒸镀技术沉积Ti/Al/Ti/Au电极，高温退火使其与GaN基QDs薄膜之间形成欧姆接触，获得的GaN基QDs薄膜载流子浓度为(5‑30)×1016 cm‑3的气体传感器。本发明的气体传感器具有ppt‑ppb级检测下限和高的稳定性，并具有良好的生物相容性和环境友好性，可用于气体环境中NO2气体浓度的检测。
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公开(公告)号：CN112903755A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110206629.1
申请日：2021-02-24
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： G01N27/00 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明一种二氧化碳传感器及其制备方法，属于二氧化碳传感器技术领域，所要解决的技术问题为：提供一种二氧化碳传感器硬件结构及其制备方法的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：在硅衬底上生成高晶体质量的氮化镓/铝氮化镓外延片，外延片一端刻蚀后利用电极制备工艺沉积铝电极，另一端直接光刻成铂电极，然后在两电极之间涂敷PEI和淀粉的混合物，由此获得一种检测范围广、可重复使用、稳定性好、材料利用率高的二氧化碳传感器；本发明制备的二氧化碳传感器具有检测范围广、价格便宜、易检测、可重复使用等有益效果；本发明安装应用于二氧化碳检测电路中。
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公开(公告)号：CN106645340B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710003039.2
申请日：2017-01-04
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种利用石墨烯负载Pt单原子复合材料检测食品中胭脂红的方法，属电化学分析检测技术或食品安全领域。本发明主要是利用水下液体介质等离子体电弧放电法制备了石墨烯负载Pt单原子复合材料，并将其应用于食品中胭脂红的电化学检测。本方法中将制得的石墨烯负载Pt单原子复合材料分散在高纯水中并超声半小时，制得分散液；将该石墨烯负载Pt单原子（GN/Pt1）分散液滴涂在清洗干净的GCE表面并在红外灯下烘干获得GN/Pt1/GCE。利用GN/Pt1/GCE对胭脂红的电化学催化作用，通过方波溶出伏安法对其进行了快速测定。本发明方法具有快速、选择性好和灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN106645340A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710003039.2
申请日：2017-01-04
申请人： 太原理工大学
CPC分类号： G01N27/308 , G01N27/48
摘要： 本发明涉及一种利用石墨烯负载Pt单原子复合材料检测食品中胭脂红的方法，属电化学分析检测技术或食品安全领域。本发明主要是利用水下液体介质等离子体电弧放电法制备了石墨烯负载Pt单原子复合材料，并将其应用于食品中胭脂红的电化学检测。本方法中将制得的石墨烯负载Pt单原子复合材料分散在高纯水中并超声半小时，制得分散液；将该石墨烯负载Pt单原子（GN/Pt1）分散液滴涂在清洗干净的GCE表面并在红外灯下烘干获得GN/Pt1/GCE。利用GN/Pt1/GCE对胭脂红的电化学催化作用，通过方波溶出伏安法对其进行了快速测定。本发明方法具有快速、选择性好和灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN106505076A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610984382.5
申请日：2016-11-09
申请人： 太原理工大学
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/005
摘要： 一种微米阵列LED制备方法，包括：步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2：将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3：利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先利用小束流离子束观察芯片，选取芯片的刻蚀区域。步骤5：将离子束束流切换到大束流观察芯片，在所选取的芯片刻蚀区域绘制周期性实心方格阵列，利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀。步骤6：离子束刻蚀所选区域完毕后，可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀。步骤7：在整个芯片刻蚀完毕后，关闭离子束源，取出芯片。步骤8：对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤，完成制备。
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公开(公告)号：CN116754617A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311033612.6
申请日：2023-08-17
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种GaN‑Metal/PANI氨气传感器及其制备方法和应用，通过湿法刻蚀工艺、磁控溅射沉积贵金属纳米颗粒和原位氧化聚合方法制备得到。本发明的氨气传感器基于刻蚀工艺在GaN表面刻蚀出六角方坑，提高了材料的比表面积，增加了气体吸附位点；基于GaN与PANI表面构建异质结构以及GaN与贵金属间产生的肖特基势垒，促进了电子迁移率，极大程度地提高了传感器对NH3的灵敏度，可实现室温下对NH3的ppb级下限检测，具有良好的长期稳定性。
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公开(公告)号：CN116593538A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310481026.1
申请日：2023-04-28
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种GaN/rGO氨气传感器及其制备方法，属于气体检测技术领域；所述的GaN/rGO氨气传感器包括固定在传感器衬底薄膜上的敏感材料；所述敏感材料是由可溶性镓盐、尿素与GO纳米片采用溶剂热方法制备得到的GaN/rGO气敏材料；本发明利用溶剂热方法，结构磁控溅射制备欧姆接触电极，用于实现室温下ppb级别氨气的快速稳定检测；本发明所制备的GaN/rGO氨气传感器具有良好的室温响应恢复特性，为医疗和工业生产等领域对氨气的检测提出了高效的技术解决方案。
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公开(公告)号：CN116297711A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310280071.0
申请日：2023-03-22
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于ZnO/GaN异质结结构纳米材料的NO2气体传感器及其制备方法，属于半导体气体传感器技术领域。本发明的传感器由配有金叉指电极、大小为10 mm*10 mm的Al2O3陶瓷基底与涂覆在金叉指电极上的敏感材料组成。敏感材料为ZnO/GaN异质结结构纳米材料，ZnO材料呈现纳米片形貌，具有多孔的表面，长度为0.8~1.2μm、厚度为10~15 nm；GaN纳米颗粒分布在ZnO纳米片表面，直径约为20~30 nm。本发明利用氧化锌纳米片增加比表面积，并通过构建异质结构进而有效地提高了传感器对于NO2的敏感特性；这两方面的共同作用大幅提高了传感器的灵敏度；制作工艺简单，体积小，利于批量生产，因而在检测微环境中NO2含量方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112730534A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110090014.7
申请日：2021-01-22
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明一种用于监控微生物生长的二氧化碳传感器及其制备方法，属于二氧化碳传感器及其制备方法技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种用于监控微生物生长的二氧化碳传感器硬件结构的改进；解决上述技术问题采用的技术方案为：在蓝宝石衬底上外延生长n型氮化镓层，采用一系列电极制备工艺在氮化镓外延片上沉积Ti/Al/Pt/Au电极，后通过液相剥离黑磷以及对黑磷进行功能化改性制备BP‑PEI层，获得了高灵敏度、可实时操作的小型化二氧化碳气体传感器；本发明二氧化碳传感器性能稳定，对二氧化碳气敏性能良好且价格低廉，尺寸小，检测方式简单，同时具有一次性，无污染等优点；本发明应用于监控微生物生长。
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公开(公告)号：CN112255290A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011062163.4
申请日：2020-09-30
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： G01N27/327
摘要： 本发明提出一种具有水溶液稳定性的柔性生物传感器及其制作方法，属于生物传感器技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种具有水溶液稳定性的柔性生物传感器结构及其制作方法的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：包括放大芯片组件和传感芯片组件，放大芯片组件中设置有至少一个放大芯片，传感芯片组件中设置有至少一个传感芯片，放大芯片与传感芯片通过桥接结构连接；放大芯片包括有机半导体膜、桥连介质和第一微电极组，第一微电极组包括基底、源极、漏极，所述源极、漏极之间的载流子运行通道平行于基底平面设置，第一微电极组通过电极与有机半导体膜水平相连；放大芯片组件、传感芯片组件、桥接结构均为柔性结构；本发明应用于生物传感器。
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