本发明属于微电子技术领域，更具体地，涉及一种Sb‑Te‑C相变存储材料及其制备方法和应用。本发明Sb‑Te‑C相变存储材料，其化学组成通式为(SbiTej)100‑xCx，其中x，i和j均表示原子百分比，0＜x≤30，0＜i≤50，50≤j＜100，i+j＝100。与未掺杂C的Sb‑Te相变材料相比，本发明提供的Sb‑Te‑C相变薄膜材料电阻随温度变化曲线随着C浓度的增加逐渐趋向于缓变，具有应用于人工神经网络与类脑计算的潜力；且所述Sb‑Te‑C相变材料的电阻窗口以及电阻绝对值增大，意味着存储数据的区分程度增大，操作功耗降低；另外所述Sb‑Te‑C相变材料的相变温度得到较大提升，热稳定性增强，数据保持力增强。