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公开(公告)号：CN105514278A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511000522.2
申请日：2015-12-24
申请人： 华中科技大学 , 杭州众能光电科技有限公司
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/0032
摘要： 本发明公开了三种新的二元金属盐钙钛矿材料AB1B2X3(X：Cl、Br、I)及其制备方法，以及其在多种结构的钙钛矿太阳能电池制备中应用，属于新材料太阳能电池领域。本材料由有机卤化物金属卤化物B1X2、B2X2(B1:Pb2+；B2:Mg2+、Ca2+、Ba2+；X：Cl、Br、I)，以及有机溶剂(N,N-二甲基甲酰胺DMF、二甲基亚砜DMSO或者γ-丁内酯溶剂)配制成，相比现有的钙钛矿材料降低了有毒铅离子的含量，减小了对环境的污染，有利于实现钙钛矿太阳能电池的产业化应用。
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公开(公告)号：CN105070834A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510450181.2
申请日：2015-07-28
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0001 , H01L51/44
摘要： 本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题，本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层，作为空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX3，A＝CH3NH3+或CH(NH2)2+或两者混合物；X＝Cl-、Br-、I-或其混合物)，随后沉积一层电子传输层PCBM，接着沉积一层界面修饰层(包括LiF、BCP或TiOX的一种)，最后沉积一层金属电极(Ag或Al)。所述掺杂型NiO致密膜作为空穴传输层，电池性能稳定、高效、迟滞现象小，有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。
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公开(公告)号：CN115688661B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211715979.1
申请日：2022-12-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/373
摘要： 本发明提供一种VFTO抑制用螺旋管式阻尼母线全电路参数的建模方法，包括：基于螺旋管式阻尼母线的电感并电阻等效电路，建立每匝线圈包含杂散参数和间隙击穿阻抗的阻尼母线全电路参数等效电路；基于所述全电路参数等效电路计算阻尼母线的等效电感、杂散电容、杂散电感和间隙击穿阻抗。本发明在现有的电感并电阻等效模型基础上，考虑了杂散参数的影响，能很好地等效阻尼母线真实情况，进而为更好地为抑制VFTO、优化螺旋管式阻尼母线设计提供理论依据。
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公开(公告)号：CN107478887A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710553016.9
申请日：2017-07-07
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R15/202
摘要： 本发明公开了一种阵列式霍尔电流传感器，包括：霍尔阵列和信号处理电路，其中：霍尔阵列包括4个霍尔元件，4个霍尔元件均匀分布在环形电路板上，环形电路板中央为被测载流导线通道，通过4个霍尔元件产生霍尔电势；4个霍尔元件输出霍尔电势至信号处理电路；信号处理电路包括依次连接的加权增益调整电路、移相电路和功率放大电路；加权增益电路，用于对霍尔电势进行加权增益调整，包括4个运算放大器和1个加法器；移相电路，用于对经过加权增益后的霍尔电势进行移相，移相电路包括滞后移相和超前移相两级电路；功率放大电路用于将移相后的霍尔电势进行功率放大，功率放大电路包括功率放大器，运算放大器，功放调零电路和运放调零电阻。
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公开(公告)号：CN105536073A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510974137.1
申请日：2015-12-22
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： A61L31/022 , A61L31/048 , A61L31/06 , A61L31/146 , A61L31/16 , A61L2300/102 , A61L2300/602 , C08L23/30 , C08L23/06
摘要： 本发明公开了一种以PEO-LDPE合金为基体的含铜节育材料即Cu/PEO-LDPE复合材料及其器件，包含有PEO-LDPE合金基体及分布其中的含铜金属粒子，其中含铜金属粒子的重量百分比含量为0.5～30％，在PEO-LDPE合金基体中，PEO的重量百分比含量为Cu/PEO-LDPE复合材料总重量的0.5～30％(优选值5～15％)。相较于Cu/LDPE节育材料，以该新型节育材料制备的Cu-IUDs，更具有重量大幅减轻、与子宫内膜的相容性优异等独特优势，进而在确保所制备Cu-IUDs使用寿命的同时，理论上将大幅减轻该Cu-IUDs致出血与疼痛等副反应。
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公开(公告)号：CN104801688A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510187491.X
申请日：2015-04-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： B22D13/10
CPC分类号： B22D13/101
摘要： 本发明公开了一种模拟离心铸造的多环薄壁模具，包括底盘，浇口杯，浇道以及铸造模，底盘呈圆形平板状，浇口杯设置在底盘圆心处；铸造模固定在底盘上，呈环形柱状，该铸造模的环圆心与底盘圆心重合；浇道固定在底盘上，用于连通浇口杯和铸造模的腔室；浇道的高度小于铸造模的高度。工作时，离心力使经浇口杯进入的流体通过浇道到达腔室，并进一步自外而内、自下而上充入腔室，以进行金属液体充型过程模拟。本发明装置能模拟流体三维形态的流动过程，能获取合理的模拟试验数据。
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公开(公告)号：CN115188884B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210706282.1
申请日：2022-06-21
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明提供一种三维相变存储器及其制备方法，包括多个相变存储器单元；相变存储器单元由下到上依次包括：底电极层、选通材料层、缓冲层、存储材料层以及顶电极层；选通材料层和存储材料层为同质材料，均为X元素和Te元素的化合物；其中，X元素为In、Ge、Ga、As、Sn及Sb中的一种；选通材料的化学通式为XnTe100‑n，5≤n≤25；存储材料的化学通式为XmTe100‑m，30≤m≤60；将多个相变存储器单元在三维方向上进行堆叠，得到三维相变存储器。本发明同质集成三维相变存储单元中的选通材料和存储材料为同一种体系的不同组分，简化了工艺，实现了工艺的完美兼容，且这种三维同质集成结构能极大地提高存储密度，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN115084368B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210706263.9
申请日：2022-06-21
摘要： 本发明提供一种基于导电丝电极的相变存储器及其制备方法，通过在底电极层施加正电压脉冲，顶电极层接地，使相变材料在晶态与非晶态之间实现相变过程，进而对器件的阻态进行调节。在施加脉冲后，活性电极中金属阳离子会被氧化，在介质层半导体材料中的缺陷中快速迁移，并在介质层中形成稳定的导电丝。由于介质层导电性能差，形成的导电丝作为底电极与相变材料层的接触点，使得相变材料层在相变过程中的升温区域减小，器件的有效相变面积减小，因此使其工作电流减小。该结构可以有效降低相变存储器的功耗，提高了相变存储器的性能，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116568125A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310383982.6
申请日：2023-04-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微纳电子技术领域，更具体地，涉及一种Hf‑Te‑M选通管材料、选通管单元及其制备方法。选通管材料为至少包括Hf及Te的化合物，选通管材料的化学通式为HfxTeyM100‑x‑y，其中M包括掺杂材料，且5≤x≤55，45≤y≤90，0≤100‑x‑y≤15。本发明的选通管材料选用HfxTey材料，该材料用于选通管单元时具有漏电流小的优点，有利于降低在相变存储器三维集成中的串扰。本发明的选通管以Hf Te合金为基底材料掺入掺杂材料M，可以调节和优化该选通管材料制作的选通管单元的开通电流、阈值电压及漏电流等；可以提高选通管单元的热稳定性、循环特性以及可重复性。
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公开(公告)号：CN115688661A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211715979.1
申请日：2022-12-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/373
摘要： 本发明提供一种VFTO抑制用螺旋管式阻尼母线全电路参数的建模方法，包括：基于螺旋管式阻尼母线的电感并电阻等效电路，建立每匝线圈包含杂散参数和间隙击穿阻抗的阻尼母线全电路参数等效电路；基于所述全电路参数等效电路计算阻尼母线的等效电感、杂散电容、杂散电感和间隙击穿阻抗。本发明在现有的电感并电阻等效模型基础上，考虑了杂散参数的影响，能很好地等效阻尼母线真实情况，进而为更好地为抑制VFTO、优化螺旋管式阻尼母线设计提供理论依据。
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