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公开(公告)号：CN115084369A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210706279.X
申请日：2022-06-21
摘要： 本发明公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括In、Te及M的化合物，其中，M为掺杂元素，且为C、Si、N、As、Sc、Ti、Ga、Hf及Y中的至少一种。所述选通管材料的化学通式为InxTeyM100‑x‑y，其中，x，y为元素的原子百分比，且10≤x≤45，55≤y≤90，0≤100‑x‑y≤15。该选通管材料由In、Te和掺杂元素构成，在In‑Te化合物的基础上进行掺杂，组分相对简单，易于调控，且该化合物热稳定性高，漏电流小，通过进一步元素掺杂可以提高其耐用性，热稳定性以及开态电流密度。
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公开(公告)号：CN118057951A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211453440.3
申请日：2022-11-21
摘要： 本申请涉及电子技术领域，具体涉及一种本申请实施例提供了一种选通材料、选通器件、存储芯片及设备。该选通材料包括：如SbxMyC100‑x‑y所示的材料；其中，x代表Sb的原子个数百分比，y代表M的原子个数百分比，其中，15＜x＜60，40＜y＜85，20＜100‑x‑y＜60；M为Se和/或S。该选通材料具有组分简单，易于制备，且无毒，对环境友好，以及热稳定性高、开态电流大等优点。
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公开(公告)号：CN115084369B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210706279.X
申请日：2022-06-21
摘要： 本发明公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括In、Te及M的化合物，其中，M为掺杂元素，且为C、Si、N、As、Sc、Ti、Ga、Hf及Y中的至少一种。所述选通管材料的化学通式为InxTeyM100‑x‑y，其中，x，y为元素的原子百分比，且10≤x≤45，55≤y≤90，0≤100‑x‑y≤15。该选通管材料由In、Te和掺杂元素构成，在In‑Te化合物的基础上进行掺杂，组分相对简单，易于调控，且该化合物热稳定性高，漏电流小，通过进一步元素掺杂可以提高其耐用性，热稳定性以及开态电流密度。
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公开(公告)号：CN115835770A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211482089.0
申请日：2022-11-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子技术领域，更具体地，涉及一种Sb‑Te‑C相变存储材料及其制备方法和应用。本发明Sb‑Te‑C相变存储材料，其化学组成通式为(SbiTej)100‑xCx，其中x，i和j均表示原子百分比，0＜x≤30，0＜i≤50，50≤j＜100，i+j＝100。与未掺杂C的Sb‑Te相变材料相比，本发明提供的Sb‑Te‑C相变薄膜材料电阻随温度变化曲线随着C浓度的增加逐渐趋向于缓变，具有应用于人工神经网络与类脑计算的潜力；且所述Sb‑Te‑C相变材料的电阻窗口以及电阻绝对值增大，意味着存储数据的区分程度增大，操作功耗降低；另外所述Sb‑Te‑C相变材料的相变温度得到较大提升，热稳定性增强，数据保持力增强。
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