本公开实施例涉及半导体技术领域，由于晶体管尺寸不断微缩，位于晶体管宽度方向边缘处的寄生晶体管易于开启，因此，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；基底包括有源区，有源区包括沿第一方向依次排列的第一凸出部、主体部和第二凸出部；在有源区的表面形成栅极结构、以及位于栅极结构侧壁的第一侧墙层；第一侧墙层之间具有开口，开口至少暴露出部分第一凸出部和部分第二凸出部；采用第一离子，通过开口对暴露出的第一凸出部和第二凸出部进行第一离子注入。由于可以通过开口至少对第一凸出部和第二凸出部进行第一离子注入，从而第一离子能够扩散至主体部的边缘，进而使得主体部边缘处的寄生晶体管不易开启。