发明公开
- 专利标题: 宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法
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申请号: CN202211705421.5申请日: 2022-12-29
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公开(公告)号: CN116190486A公开(公告)日: 2023-05-30
- 发明人: 唐利斌 , 余黎静 , 田品 , 郝群 , 钟和甫 , 左文彬 , 苏润红 , 李志华 , 杨敏 , 马启 , 余连杰
- 申请人: 昆明物理研究所
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区教场东路31号
- 专利权人: 昆明物理研究所
- 当前专利权人: 昆明物理研究所
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区教场东路31号
- 代理机构: 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 和琳
- 主分类号: H01L31/109
- IPC分类号: H01L31/109 ; H01L31/18 ; H01L31/0336
摘要:
宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法,属于光电探测技术领域。该探测器包括:衬底;碲化铋(Bi2Te3),形成于衬底上,并进行快速退火处理;PbS胶体量子点,形成于碲化铋(Bi2Te3)上;Al电极,形成于PbS胶体量子点上。该光电探测器的制备方法中,碲化铋(Bi2Te3)通过磁控溅射的方法生长,并在快速退火炉中退火;PbS胶体量子点薄膜通过旋涂的方式成膜,并在旋涂过程中进行配体交换;Al电极用进行掩膜后,使用物理气相沉积(PVD)技术蒸镀。本发明中,PbS CQDs有强吸收的特点,Bi2Te3材料具有高迁移率、强吸收和宽波段响应的特点,利用两种材料的协同效应,在室温下就实现了可见‑中波的宽波段探测。
IPC分类: