宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法
摘要:
宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法,属于光电探测技术领域。该探测器包括:衬底;碲化铋(Bi2Te3),形成于衬底上,并进行快速退火处理;PbS胶体量子点,形成于碲化铋(Bi2Te3)上;Al电极,形成于PbS胶体量子点上。该光电探测器的制备方法中,碲化铋(Bi2Te3)通过磁控溅射的方法生长,并在快速退火炉中退火;PbS胶体量子点薄膜通过旋涂的方式成膜,并在旋涂过程中进行配体交换;Al电极用进行掩膜后,使用物理气相沉积(PVD)技术蒸镀。本发明中,PbS CQDs有强吸收的特点,Bi2Te3材料具有高迁移率、强吸收和宽波段响应的特点,利用两种材料的协同效应,在室温下就实现了可见‑中波的宽波段探测。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102 ....仅以一个势垒或面垒为特征的
H01L31/109 .....为PN异质结型势垒的
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