公开(公告)号：CN116322073A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310489321.1

申请日：2023-05-04

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 唐利斌 ,  钟和甫 ,  田品 ,  余黎静 ,  姬荣斌

IPC分类号： H10K30/10 ,  H10K30/82 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12

摘要： 基于PbS胶体量子点的高性能红外光伏探测器及其制备方法，属于红外探测器制备领域。本发明高性能红外光伏探测器，从下至上依次是石英衬底、ITO阳极层、SnO层、[6,6]‑Phenyl C61 butyric acid methyl ester（PCBM）层、PbS CQDs层和Al阴极层。制备方法包括清洁衬底、直频磁控溅射法生长SnO层、旋涂法制备PCBM 和PbS CQDs层，以及热蒸镀Al阴极层。本发明的器件对在近红外光区域具有良好的光响应，器件性能优异。

公开(公告)号：CN115985984A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211474428.0

申请日：2022-11-23

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 唐利斌 ,  钟和甫 ,  田品 ,  余黎静 ,  左文彬 ,  姬荣斌

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

摘要： 基于PbS CQDs/ZnO‑NWs复合结构红外探测器及其制备方法，属于红外探测器制备领域。本发明复合结构红外探测器，从下至上依次是衬底、阳极层、PbS CQDs/ZnO‑NWs复合层，以及阴极层。制备方法包括清洁衬底、水热法生长ZnO‑NWs阵列、旋涂法制备PbS CQDs层，以及热蒸镀Al阴极层。本发明的器件对红外光显示出良好的敏感性，器件性能优异。

公开(公告)号：CN116190486A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211705421.5

申请日：2022-12-29

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 唐利斌 ,  余黎静 ,  田品 ,  郝群 ,  钟和甫 ,  左文彬 ,  苏润红 ,  李志华 ,  杨敏 ,  马启 ,  余连杰

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336

摘要： 宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器包括：衬底；碲化铋（Bi2Te3），形成于衬底上，并进行快速退火处理；PbS胶体量子点，形成于碲化铋（Bi2Te3）上；Al电极，形成于PbS胶体量子点上。该光电探测器的制备方法中，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，并在快速退火炉中退火；PbS胶体量子点薄膜通过旋涂的方式成膜，并在旋涂过程中进行配体交换；Al电极用进行掩膜后，使用物理气相沉积(PVD)技术蒸镀。本发明中，PbS CQDs有强吸收的特点，Bi2Te3材料具有高迁移率、强吸收和宽波段响应的特点，利用两种材料的协同效应，在室温下就实现了可见‑中波的宽波段探测。

公开(公告)号：CN116190485A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211705410.7

申请日：2022-12-29

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 余黎静 ,  唐利斌 ,  田品 ,  郝群 ,  钟和甫 ,  左文彬 ,  雷晓虹 ,  邓功荣 ,  王静宇 ,  黄俊博 ,  冯江敏 ,  袁俊 ,  龚晓霞 ,  施静梅

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0224

摘要： 能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该探测器包括衬底；ITO透明电极层，形成于所述衬底上；AZO功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于AZO功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，AZO功能层通过磁控的方法实现，PbS量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明探测器，通过小尺寸的PbS量子点与宽响应波段和高吸收率的Bi2Te3材料结合，所设计的ITO/AZO/PbS CQDs/Bi2Te3/Al的能带排列结构不仅为电荷分离/传输提供了便利，从而提高器件性能。

公开(公告)号：CN115411185A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210942569.4

申请日：2022-08-08

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 余黎静 ,  唐利斌 ,  田品 ,  郝群 ,  钟和甫 ,  左文彬 ,  岳彪 ,  王海澎 ,  姬玉龙 ,  李红福 ,  魏虹 ,  普跃升 ,  钟昇佑 ,  毛文彪

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  B05D1/00 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/06

摘要： 一种Bi2Te3/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底、ITO透明电极层形成于所述衬底上；PCBM功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于PCBM功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，PCBM功能层通过旋涂的方法实现，PbS胶体量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明公布的器件结构为垂直型，本发明利用PbS胶体量子点薄膜层的高吸收和Bi2Te3薄膜的高载流子迁移率，二者的结合有利于光生载流子的收集和载流子的快速传输，从而有效的提升器件的响应时间和性能。