公开(公告)号：CN116190486A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211705421.5

申请日：2022-12-29

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 唐利斌 ,  余黎静 ,  田品 ,  郝群 ,  钟和甫 ,  左文彬 ,  苏润红 ,  李志华 ,  杨敏 ,  马启 ,  余连杰

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336

摘要： 宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器包括：衬底；碲化铋（Bi2Te3），形成于衬底上，并进行快速退火处理；PbS胶体量子点，形成于碲化铋（Bi2Te3）上；Al电极，形成于PbS胶体量子点上。该光电探测器的制备方法中，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，并在快速退火炉中退火；PbS胶体量子点薄膜通过旋涂的方式成膜，并在旋涂过程中进行配体交换；Al电极用进行掩膜后，使用物理气相沉积(PVD)技术蒸镀。本发明中，PbS CQDs有强吸收的特点，Bi2Te3材料具有高迁移率、强吸收和宽波段响应的特点，利用两种材料的协同效应，在室温下就实现了可见‑中波的宽波段探测。