Invention Publication
CN116247074A 半导体装置及其形成方法
审中-实审
- Patent Title: 半导体装置及其形成方法
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Application No.: CN202310115567.2Application Date: 2023-02-14
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Publication No.: CN116247074APublication Date: 2023-06-09
- Inventor: 周孟翰 , 萧宜瑄 , 刘书豪 , 张惠政 , 杨育佳
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- Agency: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- Agent 徐金国
- Priority: 63/268,181 20220217 US 17/743,861 20220513 US
- Main IPC: H01L29/06
- IPC: H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/78 ; H01L21/336
Abstract:
一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域，设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物；以及接触间隔物，环绕源极/漏极接触，接触间隔物包括第一掺杂物及非晶化杂质。
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IPC分类:
