本发明公开了一种基于曲面绝缘栅堆垛结构的铁电存储器件，包括衬底、沟道层、源极、漏极以及曲面绝缘栅堆垛结构，其中，沟道层位于衬底的上表面，源极和漏极分别嵌入在沟道层左右两侧，曲面绝缘栅堆垛结构设置在沟道层上表面且位于源极与漏极之间；曲面绝缘栅堆垛结构包括凸状曲面和凹状曲面，且凸状曲面和凹状曲面均包括自下而上依次堆叠的绝缘层、铁电层和栅极金属层，绝缘层界面面积均大于铁电层界面面积。本发明通过曲面栅堆垛结构使得绝缘层界面相对铁电层界面存在更大的有效承受栅极电压区域面积，降低了绝缘层相对于铁电层界面处偶极子的实际分布密度，解决FeFET器件由于反复擦写造成的存储窗口退化和器件的击穿失效问题。