发明公开
- 专利标题: 碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法及表面钝化结构
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申请号: CN202211103691.9申请日: 2022-09-09
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公开(公告)号: CN116314434A公开(公告)日: 2023-06-23
- 发明人: 杜宇 , 张国锋 , 黄先念 , 谭必松 , 毛剑宏
- 申请人: 浙江珏芯微电子有限公司
- 申请人地址: 浙江省丽水市莲都区南明山街道石牛路268号1幢B座307室
- 专利权人: 浙江珏芯微电子有限公司
- 当前专利权人: 浙江珏芯微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省丽水市莲都区南明山街道石牛路268号1幢B座307室
- 代理机构: 上海申新律师事务所
- 代理商 党蕾
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/0216 ; H01L31/0296 ; H01L31/08
摘要:
本发明涉及红外探测器制备领域,具体涉及一种碲镉汞表面复合钝化层制备及开口方法及其表面钝化结构,步骤S1,通过磁控溅射方式于碲镉汞上生长出碲化镉薄膜层;步骤S2,通过热蒸发方式于碲化镉薄膜层上沉积出硫化锌薄膜层,碲化镉薄膜层和硫化锌薄膜层共同形成复合钝化膜层;步骤S3,于复合钝化膜层上涂光刻胶并进行光刻,获得光刻孔;步骤S4,将具备光刻后的复合钝化膜层的碲镉汞置于腐蚀液中浸泡,腐蚀液对光刻孔内的复合钝化膜层蚀刻出接触孔,获得开口后的碲镉汞;本发明工艺简单,成本低廉,复合钝化膜层可有效保护碲镉汞材料表面,在后期成品中有效减少暗电流;减少冗余工序,腐蚀液扩腐轻微,开孔均匀性优。
IPC分类: