公开(公告)号：CN116754080B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202310779472.0

申请日：2023-06-28

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 谭必松 ,  邱伟强 ,  陈天晴 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: G01J5/90

Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：得到面阵裸电路背景电压；得到面阵均压，得到面阵均压时间序列拟合曲线；得到面阵每个像元时间序列拟合曲线；计算得到每个像元电压拟合标准差；计算得到每个像元拟合差标准差；计算得到每个像元电流谱密度；由每个像元拟合标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元拟合差标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元电流谱密度，判断单个像元的稳定性，本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发，通过像元的时间序列，计算：拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据，从而准确的判断不稳定像元。

公开(公告)号：CN116754080A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310779472.0

申请日：2023-06-28

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 谭必松 ,  邱伟强 ,  陈天晴 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: G01J5/90

Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：得到面阵裸电路背景电压；得到面阵均压，得到面阵均压时间序列拟合曲线；得到面阵每个像元时间序列拟合曲线；计算得到每个像元电压拟合标准差；计算得到每个像元拟合差标准差；计算得到每个像元电流谱密度；由每个像元拟合标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元拟合差标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元电流谱密度，判断单个像元的稳定性，本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发，通过像元的时间序列，计算：拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据，从而准确的判断不稳定像元。

公开(公告)号：CN116130546A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202111328770.5

申请日：2021-11-10

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 杨天伦 ,  毛剑宏 ,  杜宇

IPC: H01L31/18 ,  H01L25/16 ,  H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种制冷红外探测器的制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过将待加工形成制冷红外探测器的器件衬底材料先切割成规格(大小尺寸)相同或者的规格(大小尺寸)不同的多个待形成所述制冷红外探测器器件的器件芯片，之后，在将多个所述器件芯片重新排布键合在现有的6英寸或英8寸的载片(半导体衬底)上，然后，利用现有的已经发展成熟的6英寸或8英寸的产线工艺，实现制冷红外探测器器件的同一规格的自动化批量生产或不同规格的自动化批量生产，从而避免了现有的制冷红外探测器生产设备受到制冷红外探测器的不规则衬底的限制，进而导致制冷红外探测器无法进行批量生产的问题，并最终提高了产品的生产效率和产品良率。

公开(公告)号：CN114894316A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210521976.8

申请日：2022-05-13

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 熊雄 ,  周勇强 ,  段煜 ,  胡明灯 ,  李锐平 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: G01J5/02

Abstract: 本发明公开了一红外探测器杜瓦冷指及封装方法，包括：冷指气缸，冷指气缸呈管状结构，冷指气缸具备依次连接的冷台连接部、薄壁部、以及基座连接部，其中，冷台连接部的壁厚和基座连接部的壁厚均大于薄壁部的壁厚；冷台，冷台至少具备一冷台凸起部，冷台凸起部插入冷指气缸的冷台连接部内；冷指基座，冷指基座至少具备一气缸定位端面和一气缸导向轴，冷指气缸的基座连接部的端面抵于气缸定位端面，气缸导向轴插入冷指气缸的基座连接部内。本发明的冷指气缸结构分为冷台连接部、薄壁部、以及基座连接部三段，且冷指气缸上下两端均加厚，能够增强力学强度、保证焊接精度、避免焊接缺陷以及减小加工难度。

公开(公告)号：CN114878002A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210681090.X

申请日：2022-06-16

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 熊雄 ,  叶炳毅 ,  金鑫 ,  马昕剑 ,  李锐平 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: G01J5/02

Abstract: 本发明公开了一种面向复杂动力学环境的杜瓦冷头及红外探测器，包括：冷指支撑环，冷指支撑环包括：第一内环、第一外环以及连接第一内环和第一外环的一个或多个第一连杆，第一内环套设于冷指的外壁，第一内环与冷指相连接，第一内环位于基板的下方，第一外环与外壳相连接；冷屏支撑环，冷屏支撑环包括：第二内环、第二外环以及连接第二内环和第二外环的一个或多个第二连杆，第二内环套设于冷屏的外壁，第二内环与冷屏台阶面相连接，第二外环与外壳相连接。本发明的冷指支撑环和冷屏支撑环的设计，加强了抵抗大量级振动冲击的能力、光轴的稳定性、以及冷屏的降温速度与温度均匀性。

公开(公告)号：CN114300582A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111664539.3

申请日：2021-12-31

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 龚汉红 ,  陈世锐 ,  陈路 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，包括如下步骤：S1：对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形，边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距；S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面，将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外，提升了碲镉汞芯片制备的合格率。

公开(公告)号：CN115112241B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202210669590.1

申请日：2022-06-14

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 胡明灯 ,  熊雄 ,  吴建乐 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: G01J5/06 ,  G01J5/061 ,  G01J5/0803

Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种倒锥形冷屏，其中，包括：冷屏侧壁和位于冷屏侧壁的上端的滤光片安装板；其中，滤光片安装板的中心开设有冷屏通光孔，环绕于冷屏通光孔外设置有环形的滤光片粘接区域；冷屏侧壁包括位于下部的第一冷屏侧壁和位于上部的第二冷屏侧壁，第一冷屏侧壁和第二冷屏侧壁相互连接，第二冷屏侧壁呈倒置的圆锥面，第二冷屏侧壁的上端直径大于其下端直径，第二冷屏侧壁的下端直径与第一冷屏侧壁的上端直径相匹配；本发明的冷屏整体呈上大下小结构，在保证滤光片粘接强度的同时，扩大了冷屏侧壁内径，起到抑制杂光的作用。

公开(公告)号：CN117026155A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310926175.4

申请日：2023-07-26

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 张国杰 ,  张国锋 ,  彭成盼 ,  谭必松 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明涉及制冷红外探测器领域，提供一种碲化镉钝化膜的热处理方法，步骤包括：S1、对碲锌镉衬底依次进行减薄、抛光以及清洗后，采用液相外延生长工艺在碲锌镉衬底表面进行液相外延以生长碲镉汞薄膜，并进行第一次热处理将碲镉汞薄膜的载流子浓度控制第一浓度，即得碲镉汞外延材料；S2、在碲镉汞外延材料表面磁控溅射生长碲化镉钝化膜；S3、在惰性气体或还原性气体氛围下，对生长有碲化镉钝化膜的碲镉汞外延材料进行第二次热处理修复碲化镉钝化膜损伤后，再进行第三次热处理将载流子浓度恢复至第一浓度；本发明通过高温热处理以及低温热处理的分步退火，既修复了碲化镉钝化膜溅射损伤，又恢复了载流子浓度，且本申请的热处理方法简单。

公开(公告)号：CN116913936A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202311038571.X

申请日：2023-08-16

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 李伟伟 ,  龚汉红 ,  段鹏 ,  谭必松 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法，属于半导体制造技术领域，该制冷红外探测器的铟柱制备方法，包括提供一待互连的第一芯片，第一芯片为制冷红外探测器的器件芯片或制冷红外探测器的读出电路芯片；在第一芯片上淀积介质材料，用以形成第一铟柱，第一铟柱包括：第一柱段，第一柱段具有预设高度，第一柱段的底部连接于第一芯片表面上；第二柱段，第二柱段的底部与第一柱段的顶部相连，第一柱段和第二柱段均为顶部横截面积小于底部横截面积的圆台状结构，第二柱段的底部横截面积不大于第一柱段的顶部横截面积。通过第一铟柱上的第一柱段和第二柱段，避免因对准误差带来的侧滑，也很好地控制了碲镉汞芯片与硅电路芯片之间的间距。

公开(公告)号：CN116754079A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310502746.1

申请日：2023-05-05

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 熊伟钉 ,  邱伟强 ,  阎蒋伟 ,  陈天晴 ,  谭必松 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: G01J5/90

Abstract: 本发明提供一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统，包括与红外焦平面探测器对准且相隔一预设距离设置的面源黑体，使得黑体辐射均匀照射在红外焦平面探测器上；包括：步骤S1，将面源黑体温度设置为第一预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在预设积分时间下的第一像元电压数据；步骤S2，将温度设置为第二预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在同一预设积分时间下的第二像元电压数据；步骤S3，计算出像元响应电压；步骤S4，获取红外焦平面探测器的光学的F数、积分电容、像元面积以及普朗克光子发射率，并结合预设积分时间以及计算得到的像元响应电压计算得到量子效率。有益效果：测试方法简便，数据采集方便、数据处理简单。