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公开(公告)号：CN118890846A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410916422.7
申请日：2024-07-09
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种冷却水输送装置、杜瓦系统及其激活方法，其中，所述冷却水输送装置包括：导热腔体，所述导热腔体内容置有冷却水和磁流体；传动装置，所述传动装置具有至少一磁吸部；驱动装置，所述驱动装置与所述传动装置传动连接，所述驱动装置用于驱动所述磁吸部的移动；其中，所述磁流体在所述磁吸部的磁吸力的作用下带动所述冷却水在所述导热腔体内的移动。通过对本发明的应用，提供了一种基于磁流体运动的冷却水输送装置，尤其适用于对杜瓦系统的激活，能够有效降低杜瓦系统的冷指气缸的温度，能够实现对杜瓦系统的完全激活的同时抑制芯片超温，且能够有效降低吸气剂的内部应力，减少由于吸气剂脱落形成的颗粒物等。
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公开(公告)号：CN118655445A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410768877.9
申请日：2024-06-14
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种芯片引脚检测装置及方法，属于芯片检测技术领域，该芯片引脚检测装置，包括恒流源选择模块，用于向待测的目标芯片的引脚提供恒流源；引脚选择模块，用于切换目标芯片的引脚电气连接状态，使目标芯片的引脚接恒流源正极、恒流源负极或者悬空，引脚选择模块具有多个控制输入端和多个控制输出端，控制输入端和恒流源选择模块相连，控制输出端和目标芯片的引脚电气连接；ADC模块，其两输入端分别与所述恒流源正极、恒流源负极相连，用于获取目标芯片各引脚的电压信号并进行模数信号转换。通过设计芯片引脚检测装置替代人工检测，从而高效、准确地自动检测判断、存储，减少了人力投入，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118039741B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410447361.4
申请日：2024-04-15
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/101
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对电极区进行刻蚀，形成凹槽；在碲镉汞基底表面形成金属层；对金属层刻蚀，保留电极区凹槽的金属层，形成U型电极金属；在碲镉汞基底表面及U型电极金属上形成钝化层；刻蚀钝化层，形成暴露U型电极金属的通孔；在通孔中形成电极，本发明中由于电极金属为U型，因此U型侧壁形成金属围墙的作用，在湿法腐蚀过程中，钝化膜横向腐蚀的速度得到了很大地抑制，纵向腐蚀不受影响，进而使钝化开孔能够顺利进行。
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公开(公告)号：CN118422311A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410360812.0
申请日：2024-03-27
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种自动调温的碲锌镉单晶VGF生长装置及方法，包括：包括炉膛、设于炉膛内的坩埚，还包括：测温热偶机构，测温热偶机构包括多个测温热偶，驱动机构驱动多个测温热偶同步且匀速地向上或向下运动；多个测温热偶中至少包括第一测温热偶、第二测温热偶和第三测温热偶；第一测温热偶的测温部与第二测温热偶的测温部在竖直方向上具有间距，第二测温热偶的测温部与第三测温热偶的测温部在竖直方向上具有间距。本发明在长晶过程实现温度实时调控，实现长晶过程中实现调节，重复性好，能够保证以晶锭生长过程中头、中、尾均以恒定温度梯度实现长晶，能够确保长晶过程中以恒定的速度实现VGF长晶工艺。
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公开(公告)号：CN116754080B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310779472.0
申请日：2023-06-28
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01J5/90
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：得到面阵裸电路背景电压；得到面阵均压，得到面阵均压时间序列拟合曲线；得到面阵每个像元时间序列拟合曲线；计算得到每个像元电压拟合标准差；计算得到每个像元拟合差标准差；计算得到每个像元电流谱密度；由每个像元拟合标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元拟合差标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元电流谱密度，判断单个像元的稳定性，本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发，通过像元的时间序列，计算：拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据，从而准确的判断不稳定像元。
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公开(公告)号：CN118116944A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410284921.9
申请日：2024-03-13
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种制冷红外探测器及其芯片的制造方法，属于半导体技术领域，该制冷红外探测器芯片的制造方法，包括以下步骤：提供一芯片，所述芯片上形成有若干铟柱，所述芯片为用于形成所述制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片；在载体上形成光刻胶层，将所述载体具有光刻胶层的一侧设置在所述铟柱上进行压焊；去除所述光刻胶层，并移除所述载体。通过在载体上涂覆光刻胶，形成光刻胶层形成平整的表面，再将载体和芯片进行压焊，控制压焊的压力和时长，能够将高度不同的铟柱挤压到同一高度平面，进而提高铟柱的均匀性。
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公开(公告)号：CN118087018A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410352923.7
申请日：2024-03-26
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明提供一种基于两级温场的晶体生长装置，包括：晶体生长炉，具有生长腔室、夹层；第一加热组件，设置于夹层中，用于产生第一温度场；生长坩埚，设置于生长腔室内；第二加热组件，设置于生长腔室中，且第二加热组件围绕生长坩埚内的晶体生长界面设置，用于产生第二温度场；驱动组件，用于驱动第二加热组件沿水平方向和/或竖直方向运动。有益效果：通过设置第二加热组件，实现两级温场控制；第二加热组件具有水平方向移动的功能，可以调节温场方位角的均匀性；第二加热组件还具有竖直方向移动的功能，适用于变化的温场需求；大大降低对一级温场的精度要求，实现晶体生长界面的位置和形态的控制，从而提高单晶率和径向组分的均一性。
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公开(公告)号：CN117747704A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311772660.7
申请日：2023-12-21
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/465
摘要： 本申请公开一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液，包括：作为溶剂的水、以及H2O2，H2O2的浓度为：10％‑80％，本发明，可以得到CdTe薄膜表面形貌高度均匀，易控制，并且所需反应液易配置，简单易得；所用方法简便，易于操作。
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公开(公告)号：CN117028403A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310882012.0
申请日：2023-07-18
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： F16C19/02 , F16C33/66 , F16C33/62 , F16C33/64 , B23K26/362
摘要： 本发明公开了一种用于杜瓦超薄壁件焊接的液体滚珠轴承及其制备方法，包括：轴承基座，所述轴承基座具有呈弧形的轴承配合面，所述轴承配合面上形成多个液滴限位区，所述液滴限位区内布置有液滴；轴承环，所述轴承环的外表面与所述轴承配合面相匹配，所述轴承环的外表面为PDMS超疏水表面。本发明能够通过水凝胶表面微织构对超薄壁件进行抓取，以及通过液珠起到支撑、润滑和定位作用以实现准确焊接。
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公开(公告)号：CN116536768B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310778097.8
申请日：2023-06-29
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于碲锌镉单晶生长的坩埚，包括：一级坩埚、以及二级坩埚；其中，一级坩埚具有容置空间；容置空间内设有二级坩埚、以及与二级坩埚连通的镉源；二级坩埚包括：第一内径部、以及第二内径部；第一内径部的内径大于第二内径部的内径，第一内径部与第二内径部之间形成有减径部。本发明的坩埚对镉源提供第一温度，使得气化的镉源能够平衡第二温度下碲锌镉多晶中镉的气化，从而维持正化学配比，实现无夹杂物单晶的生长；碲锌镉籽晶设置于二级坩埚的顶部，能够实现自上而下的定向单晶生长，又由于熔融状态下碲锌镉的密度小于碲锌镉固体的密度，因而单晶生长时，晶体与坩埚内壁相分离，以避免在坩埚的侧壁上形核，实现大单晶生长。
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