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公开(公告)号：CN116314434A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211103691.9
申请日：2022-09-09
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/08
摘要： 本发明涉及红外探测器制备领域，具体涉及一种碲镉汞表面复合钝化层制备及开口方法及其表面钝化结构，步骤S1，通过磁控溅射方式于碲镉汞上生长出碲化镉薄膜层；步骤S2，通过热蒸发方式于碲化镉薄膜层上沉积出硫化锌薄膜层，碲化镉薄膜层和硫化锌薄膜层共同形成复合钝化膜层；步骤S3，于复合钝化膜层上涂光刻胶并进行光刻，获得光刻孔；步骤S4，将具备光刻后的复合钝化膜层的碲镉汞置于腐蚀液中浸泡，腐蚀液对光刻孔内的复合钝化膜层蚀刻出接触孔，获得开口后的碲镉汞；本发明工艺简单，成本低廉，复合钝化膜层可有效保护碲镉汞材料表面，在后期成品中有效减少暗电流；减少冗余工序，腐蚀液扩腐轻微，开孔均匀性优。
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公开(公告)号：CN116103627A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310152332.0
申请日：2023-02-14
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，沉积方法包括：提供基片台及至少两个固定单元，基片台包括铁磁性材质，固定单元设有至少一吸附面及至少一固定面，固定面与吸附面的夹角大于或等于90°，吸附面包括磁体材质；提供红外晶片，呈多边形状且置于基片台上，至少两个固定单元的固定面与红外晶片的至少两个端面相接触并利用吸附面将红外晶片吸附固定于基片台上；执行吹扫；移至沉积设备内执行沉积工艺。本发明中，采用基片台与吸附面之间的磁性吸附进行固定，不仅固定操作较为方便快捷且便于批量加工，其固定较为稳定，而且在固定过程及镀膜过程中可避免在沉积薄膜过程中引入杂质影响红外晶片表面薄膜洁净度。
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公开(公告)号：CN116230505A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310254591.4
申请日：2023-03-09
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/308 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法，形成方法包括：提供基片，基片上覆盖有剥离材料层；形成光刻胶材料层覆盖剥离材料层，对光刻胶材料层执行第一前烘烤，并冷却预设时间后，再执行第二前烘烤；执行曝光工艺及显影工艺，去除部分光刻胶材料层及剥离材料层，以形成光刻胶图形及剥离图形，剥离图形相对光刻胶图形沿基片表面内缩形成侧向凹槽；执行镀膜工艺，形成半导体薄膜覆盖基片的表面及光刻胶图形的外壁，剩余的侧向凹槽作为剥离窗口；执行剥离工艺，形成半导体图形。本发明中，解决镀膜后半导体薄膜较难剥离及剥离后质量不佳的问题。
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公开(公告)号：CN115440612A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211138467.3
申请日：2022-09-19
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L27/146
摘要： 本发明提供一种铟柱高度的监控方法，属于铟柱生长监控技术领域，包括：获取一芯片上光刻孔的第一面积，以及芯片镀铟后光刻孔不包括铟柱的第二面积；根据第一面积和第二面积计算得到芯片镀铟前后的堵孔率；根据堵孔率和铟柱设计高度确定铟柱的实际高度。有益效果：本发明提供一种铟柱高度的监控方法，通过计算铟的堵孔率来对铟柱的沉积高度进行监控，从而达到铟工艺的监控目的，该监控方法能够适用于大规模量产时有效、快捷的监控。
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